【N沟道20V - 0.0052- 60A DPAK的STripFET III功率MOSFETTYPE】,IC型号STD90NH02LT4,STD90NH02LT4 PDF资料,STD90NH02LT4经销商,ic,电子元器件-51电子网

N沟道20V - 0.0052

- 60A DPAK

的STripFET III功率MOSFET

TYPE

STD90NH02L

s

STD90NH02L

V

DSS

20 V

R

DS （ ON）

< 0.006

I

D

60 A(#)

典型

DS

（上） = 0.0052

@ 10 V

R

DS （ ON）

*的Qg行业的标杆

传导损耗而有所降低

开关损耗而有所降低

低阈值设备

表面安装DPAK （ TO- 252 ）

电源包装在磁带& REEL

（后缀“ T4 ” ）

3

1

DPAK

TO-252

（后缀“ T4 ” ）

描述

该

STD90NH02L

采用了最新的先进设计

意法半导体独有的STripFET 技术规则。这是

合适的光纤收发器的最苛刻的DC-DC转换器

应用程序，其中高效率来实现。

内部原理图

应用

s

专门设计和优化

高效率DC / DC CONVERTES

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

(#)

I

D

(#)

I

DM

()

P

合计

E

的AS （1）

T

英镑

T

j

参数

漏源电压（V

GS

= 0)

漏，栅极电压（R

GS

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

C

= 25°C

漏电流（连续）在T

C

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

C

= 25°C

降额因子

单脉冲雪崩能量

储存温度

马克斯。工作结温

价值

20

±

20

60

240

95

0.63

600

-55至175

（ 1 ）起始物为

j

= 25

o

C，我

D

= 30A ，V

DD

= 15V

单位

V

A

W

W / ℃，

mJ

°C

(

)

脉冲宽度有限的安全工作区。

限于通过引线接合（＃）值

2002年9月

1/8

STD90NH02L

热数据

Rthj情况

Rthj - AMB

T

l

热阻结案件

热阻结到环境

最大无铅焊接温度的目的

最大

1.58

100

300

° C / W

°C

电气特性

(T

例

= 25

°C

除非另有规定编）

关闭

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

GS

= 0)

门体漏

电流（V

DS

= 0)

测试条件

I

D

= 250

A,

V

GS

= 0

V

DS

=最大额定值

V

DS

=最大额定值牛逼

C

= 125°C

V

GS

=

±

20V

分钟。

20

1

10

±100

典型值。

马克斯。

单位

V

A

nA

ON

(*)

符号

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

V

DS

= V

GS

V

GS

= 10 V

I

D

= 250

A

I

D

= 30 A

分钟。

1

0.0052

0.006

典型值。

马克斯。

单位

V

动态

符号

g

飞秒（*）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

门输入电阻

测试条件

V

DS

= 10 V

I

D

= 30 A

分钟。

典型值。

40

2850

800

120

马克斯。

单位

S

pF

V

DS

= 15V F = 1MHz的V

GS

= 0

F = 1 MHz的门DC偏置= 0

测试信号电平= 20 mV的

漏极开路

1

2/8

STD90NH02L

电气特性

（续）

接通

符号

t

D（上）

t

r

Q

g

Q

gs

Q

gd

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷源

栅极电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

V

DD

= 10 V

I

D

= 30 A

V

GS

= 10 V

R

G

= 4.7

（阻性负载，图3 ）

V

DD

= 10 V I

D

= 60 A V

GS

= 10 V

分钟。

典型值。

13

75

47.5

10

7

64

马克斯。

单位

ns

nC

关闭

符号

t

D（关闭）

t

f

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

V

DD

= 10 V

I

D

= 30 A

V

GS

= 10 V

R

G

= 4.7,

（阻性负载，图3 ）

分钟。

典型值。

50

18

马克斯。

单位

ns

源漏二极管

符号

I

SDM （

)

V

SD （*）

t

rr

Q

rr

I

RRM

I

SD

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

1.5 %.

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

60

240

单位

A

V

ns

nC

A

I

SD

= 30 A

V

GS

= 0

35

2

1.2

I

SD

= 60 A

的di / dt = 100A / μs的

T

j

= 150°C

V

DD

= 16 V

（见测试电路，图5 ）

(*)

脉冲：脉冲宽度= 300

s,

占空比

(

）脉冲

宽度限制了安全工作区主编。

安全工作区

热阻抗

3/8

STD90NH02L

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

4/8

STD90NH02L

归栅极阈值电压与温度

归一通电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

归一化的击穿电压与温度的关系。

.

5/8

STD90NH02L

STD90NH02L-1

N沟道24V - 0.0052Ω - 60A - DPAK / IPAK

的STripFET II功率MOSFET

一般特点

TYPE

STD90NH02L-1

STD90NH02L

V

DSS

24V

R

DS （ ON）

<0.006

I

D

60A

(1)

60A

(1)

1.价值限于通过引线接合

■

3

1

DPAK

IPAK

3

2

1

R

DS （ ON）

* Q

g

行业的标杆

传导损耗而有所降低

开关损耗而有所降低

低阈值设备

描述

该设备采用最新的先进设计

意法半导体独有的STripFET 技术规则。

这适用于最苛刻的DC-DC

转换器应用中的高效率，是

来实现。

内部原理图

应用

■

开关应用

订购代码

产品型号

STD90NH02LT4

STD90NH02L-1

记号

D90NH02L

包

DPAK

IPAK

包装

磁带&卷轴

管

2006年8月

REV 6

1/16

www.st.com

16

STD90NH02L- STD90NH02L - 1

1

2

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

电特性（曲线）

............................. 6

3

4

5

6

7

测试电路

................................................ 8

附录A 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 9

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 11

包装机械数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 14

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 15

2/16

STD90NH02L- STD90NH02L - 1

电气额定值

1

电气额定值

表1中。

符号

V

尖峰（1）

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D (2)

I

D(2)

I

DM （3）

P

合计

E

的AS （4）

T

j

T

英镑

绝对最大额定值

参数

漏源电压额定值

漏源电压（V

GS

= 0)

漏，栅极电压（R

GS

= 20k)

栅源电压

漏电流（连续）在T

C

= 25°C

漏极电流（连续）在

T

C

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

C

= 25°C

降额因子

单脉冲雪崩能量

工作结温

储存温度

价值

30

24

± 20

60

240

95

0.63

600

-55至175

单位

V

A

W

W / ℃，

mJ

°C

1. Guaranted当外部RG = 4.7Ω和Tf<Tfmax

2.价值限于通过引线接合

3.脉冲宽度有限的安全工作区

4.启动TJ = 25°C ，ID = 30A ， VDD = 15V

表2中。

Rthj情况

Rthj - AMB

T

J

热数据

热阻结案件最大

热阻结到环境的最大

最大无铅焊接温度的目的

1.58

100

275

° C / W

°C

3/16

电气特性

STD90NH02L- STD90NH02L - 1

2

电气特性

(T

例

= 25 ° C除非另有规定编）

表3中。

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

开/关状态

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

GS

= 0)

门体漏

电流（V

DS

= 0)

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

I

D

= 25毫安，V

GS

=0

V

DS

= 20V

V

DS

= 20V ，T

C

= 125°C

V

GS

= ± 20V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 30A

V

GS

= 5V ，我

D

= 15A

1

1.8

0.0052

0.007

分钟。

24

1

10

±100

2.5

0.006

0.011

典型值。

马克斯。

单位

V

A

nA

V

表4 。

符号

g

飞秒（1）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

Q

oss(2)

Q

gls(3)

动态

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输出充电

第三象限门

收费

测试条件

V

DS

= 10V ，我

D

= 30A

分钟。

典型值。

40

2850

800

120

13

75

50

18

47.5

10

7

18.8

44

马克斯。

单位

S

pF

ns

nC

V

DS

= 15V ， F = 1MHz时，

V

GS

= 0

V

DD

= 10V ，我

D

= 30A

R

G

= 4.7 V

GS

= 10V

（见

图13）

V

DD

= 10V ，我

D

= 60A,

V

GS

= 10V ，R

G

= 4.7

（见

图14）

V

DS

=16V, V

GS

=0V

V

DS

< 0V ，V

GS

= 10V

F = 1MHz的直流门

偏压= 0测试信号

等级= 20mV的

漏极开路

24.3

64

R

G

门输入电阻

1

1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

2. Q

操作系统。

= C

OSS

*

VIN ，C

OSS

= C

gd

+ C

GD 。

SEE

第4章：附录A

3.栅极电荷为同步操作

4/16

STD90NH02L- STD90NH02L - 1

电气特性

表5 。

符号

I

SD

I

SDM

(1)

源漏二极管

参数

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

I

SD

= 30A ，V

GS

= 0

35

2

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

60

240

1.3

47

单位

A

V

ns

nC

A

V

的SD （2）

t

rr

Q

rr

I

RRM

反向恢复时间

I

SD

= 60A ，的di / dt = 100A / μs的，

反向恢复电荷V

DD

= 16V ，T

j

= 150°C

反向恢复电流（见

图15）

1.脉冲宽度有限的安全工作区。

2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％

5/16