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2
半导体
STD882
NPN硅晶体管
描述
适用于低电压大电流驱动器
优秀
FE
线性
互补配对STB772
开关应用
特点
低集电极饱和电压V
CE （ SAT ）
=0.4V(Max.)
订购信息
型号
STD882
记号
STD882
封装代码
MPT
外形尺寸
单位：
mm
6.5±0.2
21.5±1.0
1.1±0.1
1.2最大。
14.0±0.40
0.70最大。
0.4~0.6
1
2
3
2.5±0.1
.
5.0±0.2
1.27 （典型值）
.
2.54 TYP
.
1 2 3
0.5±0.2
3.4±0.2
2.0±0.1
12.5分钟。
8.5±0.2
引脚连接
1.发射器
2.收集
3. BASE
KST-B010-001
1
STD882
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲） *
集电极耗散
结温
储存温度
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
P
C
T
j
T
英镑
评级
40
15
7
5
8
1.2
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
*脉冲测试：脉冲宽度= 10毫秒（最大值） ，占空比= 30 ％ （最大）
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
1
h
FE
2
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= 50μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 50μA ，我
C
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 2V ，我
C
=0.5A
V
CE
= 2V ，我
C
=2A
I
C
= 3A ，我
B
=100mA
V
CE
= 6V ，我
E
=-50mA
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
40
15
7
-
-
160
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
-
-
-
-
0.1
0.1
320
-
0.4
-
50
单位
V
V
V
A
A
-
-
V
兆赫
pF
KST-B010-001
2
STD882
电气特性曲线
图。 1件 - TA
图。 2小时
FE
- I
C
图。 3 V
CE （ SAT ）
- I
C
图。 4 F
T
- I
C
图。 5℃
ob
- V
CB
图。 6安全工作区
连续
*
*
)
KST-B010-001
3
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STD882
    -
    -
    -
    -
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ST
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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电话：19520735817/13148740183
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