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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第186页 > STD70N2LH5
STD70N2LH5
STU70N2LH5
N沟道25 V ， 0.006
48 A - DPAK - IPAK
,
的STripFET V功率MOSFET
初步数据
特点
TYPE
STD70N2LH5
STU70N2LH5
■
■
■
■
■
V
DSS
25 V
25 V
R
DS （ ON）
最大
0.0071
0.0075
I
D
48 A
48 A
3
3
2
1
R
DS （ ON）
* Q
g
行业标杆
非常低的导通电阻R
DS （ ON）
极低的开关栅极电荷
高雪崩坚固耐用
低栅极驱动功率损耗
1
DPAK
IPAK
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
本产品采用了5
th
新一代设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
最低可用
DS （ ON）
*Q
g
，在标准中
包，使该器件适合于大多数
苛刻的DC-DC转换器的应用，其中
高功率密度来实现。
表1中。
设备简介
记号
70N2LH5
70N2LH5
包
DPAK
IPAK
包装
磁带&卷轴
管
订购代码
STD70N2LH5
STU70N2LH5
2008年9月
REV 2
1/12
www.st.com
12
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改，恕不另行通知。
电气额定值
STD70N2LH5 - STU70N2LH5
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D
I
DM （2）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
25
± 22
48
43
192
60
0.4
待定
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
E
的AS （3）
T
j
T
英镑
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
1.有限通过丝焊
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 24 A，V
DD
= 12 V
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
T
j
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结案件最大
最大无铅焊接温度的目的
价值
2.5
100
275
单位
° C / W
° C / W
°C
2/12
STD70N2LH5 - STU70N2LH5
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
STATIC
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
V
DS
= 25 V ，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 22 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 24 A
SMD版
V
GS
= 10 V，I
D
= 24 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 24 A
SMD版
V
GS
= 5 V，I
D
= 24 A
1
0.006
0.0071
分钟。
25
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
0.0064 0.0075
0.008
0.01
0.0084 0.0104
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
gs1
Q
gs2
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
PRE V
th
栅极 - 源
收费
邮政V
th
栅极 - 源
收费
测试条件
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
V
DD
= 15 V，I
D
= 48 A
V
GS
=5 V
（图3）
V
DD
= 15 V，I
D
= 48 A
V
GS
=5 V
（图8）
F = 1 MHz的栅极偏置
偏压= 0测试信号
等级= 20 mV的
漏极开路
待定
nC
民
典型值。
1300
300
50
8
待定
待定
待定
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
R
G
门输入电阻
1.1
3/12
电气特性
STD70N2LH5 - STU70N2LH5
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
接通/关断（阻性负载）
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 10 V，I
D
= 24 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
= 10 V
（图2和图7）
V
DD
= 10 V，I
D
= 24 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
= 10 V
（图2和图7）
分钟。
典型值。
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
待定
待定
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
(1)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 24 A，V
GS
=0
I
SD
=48 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 20 V ， TJ = 25°C
（图4）
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
48
192
1.1
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/12
STD70N2LH5 - STU70N2LH5
测试电路
3
图2中。
测试电路
开关时间测试电路
阻性负载
网络连接gure 3 。
栅极电荷测试电路
图4中。
对于感性负载测试电路
图5中。
开关和二极管的恢复时间
非钳位电感负载测试
电路
图6 。
非钳位感应波形
图7 。
开关时间波形
5/12
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