STD70N02L
STD70N02L-1
N沟道25V - 0.0068Ω - 60A - DPAK - IPAK
的STripFET III功率MOSFET
特点
TYPE
STD70N02L
STD70N02L-1
■
■
■
■
V
DSS
25V
25V
R
DS （ ON）
<0.008
<0.008
I
D
60A
60A
3
1
R
DS （ ON）
*的Qg行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
3
2
1
DPAK
IPAK
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
该系列产品采用了最新的
意法半导体独有的先进设计规则
的STripFET 技术。这是适合于
最苛刻的DC-DC转换器应用
其中，高效率来实现。
表1中。
设备简介
订购代码
记号
D70N02L
D70N02L
包
IPAK
DPAK
包装
管
磁带&卷轴
STD70N02L-1
STD70N02L
2007年10月
第5版
1/17
www.st.com
17
目录
STD70N02L - STD70N02L - 1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
STD70N02L - STD70N02L - 1
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
尖峰（1）
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D (2)
I
D
I
DM （3）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压额定值
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
25
25
± 20
60
42
240
60
0.4
280
-55至175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
E
的AS （4）
T
j
T
英镑
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
1. Guaranted当外部RG = 4.7Ω和Tf<Tfmax
2.价值限于通过引线接合
3.脉冲宽度有限的安全工作区
4.启动TJ = 25°C ，ID = 30A ，V
DD
= 15V
表3中。
符号
热数据
参数
价值
2.5
100
275
单位
° C / W
° C / W
°C
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB热阻结磁悬浮最大
T
l
最大无铅焊接温度的目的
3/17
电气特性
STD70N02L - STD70N02L - 1
2
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
测试条件
分钟。
25
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
漏源击穿
I
D
= 25毫安，V
GS
= 0
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= 20V,
V
DS
= 20V ， TC = 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
V
GS
= 5V ，我
D
= 15A
1
1.8
0.0068 0.008
0.090 0.014
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
Q
OSS(2)
1.
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 30A
分钟。
典型值。
27
1400
400
55
24
5
3.4
32
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 16V ， F = 1MHz时， V
GS
=0
V
DD
= 10V ，我
D
= 60A
V
GS
=10V
（参见图8）
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
V
DS
=16V, V
GS
=0V
门输入电阻
0.5
1.5
3
输出充电
9.4
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. Q
操作系统。
= C
OSS
* D输入电压，C
OSS
= C
gd
+ C
GD 。
（见
附录A ）
4/17
STD70N02L - STD70N02L - 1
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 10V ，我
D
=30A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图18）
分钟。
典型值。
10
130
27
16
最大单位
ns
ns
ns
ns
21.6
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD（1 ）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30A ，V
GS
=0
I
SD
= 60A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ， TJ = 150℃
（参见图21）
36
36
2
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
50
200
1.3
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/17
STD70N02L
STD70N02L-1
N沟道24V - 0.0068Ω - 60A - DPAK - IPAK
的STripFET III功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD70N02L
STD70N02L-1
■
■
■
■
V
DSS
24V
24V
R
DS （ ON）
<0.008
<0.008
I
D
60A
60A
3
1
R
DS （ ON）
*的Qg行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
3
2
1
DPAK
IPAK
描述
该系列产品采用了最新的
意法半导体独有的先进设计规则
的STripFET 技术。这是适合于
最苛刻的DC-DC转换器应用
其中，高效率来实现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD70N02L-1
STD70N02L
记号
D70N02L
D70N02L
包
IPAK
DPAK
包装
管
磁带&卷轴
2006年5月
转4
1/17
www.st.com
17
目录
STD70N02L - STD70N02L - 1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
STD70N02L - STD70N02L - 1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
尖峰（1）
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D (2)
I
D
I
DM （3）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压额定值
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
24
24
± 20
60
42
240
60
0.4
280
-55至175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
E
的AS （4）
T
j
T
英镑
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
1. Guaranted当外部RG = 4.7Ω和Tf<Tfmax
2.价值限于通过引线接合
3.脉冲宽度有限的安全工作区
4.启动TJ = 25°C ，ID = 30A ，V
DD
= 15V
表2中。
符号
热数据
参数
价值
2.5
100
275
单位
° C / W
° C / W
°C
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB热阻结磁悬浮最大
T
l
最大无铅焊接温度的目的
3/17
电气特性
STD70N02L - STD70N02L - 1
2
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
测试条件
分钟。
24
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
漏源击穿
I
D
= 25毫安，V
GS
= 0
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= 20V,
V
DS
= 20V ， TC = 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
V
GS
= 5V ，我
D
= 15A
1
1.8
0.0068 0.008
0.090 0.014
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
Q
OSS(2)
1.
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 30A
分钟。
典型值。
27
1400
400
55
24
5
3.4
32
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 16V ， F = 1MHz时， V
GS
=0
V
DD
= 10V ，我
D
= 60A
V
GS
=10V
（参见图15）
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
V
DS
=16V, V
GS
=0V
门输入电阻
0.5
1.5
3
输出充电
9.4
nC
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. Q
操作系统。
= C
OSS
* D输入电压，C
OSS
= C
gd
+ C
GD 。
（见
附录A ）
4/17
STD70N02L - STD70N02L - 1
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 10V ，我
D
=30A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图17）
分钟。
典型值。
10
130
27
16
最大单位
ns
ns
ns
ns
21.6
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD（1 ）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30A ，V
GS
=0
I
SD
= 60A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ， TJ = 150℃
（参见图20）
36
36
2
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
50
200
1.3
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/17
QQ：2881677436 复制
