STD6NM60N - STD6NM60N - 1
STF6NM60N - STP6NM60N
N沟道600V - 0.85Ω - 4.6A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK
第二代的MDmesh 功率MOSFET
特点
TYPE
STD6NM60N
STD6NM60N-1
STF6NM60N
STP6NM60N
V
DSS
（ @Tjmax ）
650V
650V
650V
650V
R
DS （ ON）
<0.92
<0.92
<0.92
<0.92
I
D
4.6A
1
3
2
1
3
2
4.6A
4.6A
(1)
4.6A
TO-220
TO-220FP
1.有限只能由最高允许温度
1
3
3
2
1
■
■
■
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
DPAK
IPAK
描述
该设备实现了与第二代
中的MDmesh 技术。这一革命性的
功率MOSFET关联一个新的垂直
结构给公司的带布局，以得到一种
世界上最低的导通电阻和栅极
费。因此，适合于最
要求高效率的转换器
内部原理图
应用
■
切换应用程序
订购代码
产品型号
STD6NM60N-1
STD6NM60N
STF6NM60N
STP6NM60N
记号
D6NM60N
D6NM60N
F6NM60N
P6NM60N
包
IPAK
DPAK
TO-220FP
TO-220
包装
管
磁带&卷轴
管
管
2007年6月
REV 2
1/17
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17
目录
STD6NM60N - STD6NM60N - 1 - STF6NM60N - STP6NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
STD6NM60N - STD6NM60N - 1 - STF6NM60N - STP6NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220
DPAK / IPAK
单位
TO-220FP
V
V
4.6
(1)
2.9
(1)
18.4
(1)
20
15
--
2500
A
A
A
W
V / ns的
V
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘材料来自三个耐受电压（有效值）
导致外部散热器（ T = 1秒;吨
C
=25°C)
工作结温
储存温度
4.6
2.9
18.4
45
600
± 25
-55到150
°C
1.最高温度的限制使
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
4.6A ， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
= 80%
V
（ BR ） DSS
表2中。
符号
热数据
价值
参数
TO-220
DPAK / IPAK
2.78
62.5
300
单位
TO-220FP
6.25
° C / W
° C / W
°C
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结- AMB最大
最大无铅焊接温度的
用途
表3中。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
=I
AS
, V
DD
= 50V)
价值
2
65
单位
A
mJ
3/17
电气特性
STD6NM60N - STD6NM60N - 1 - STF6NM60N - STP6NM60N
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
漏源电压斜率
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DD
= 400V, V
GS
= 10V,
I
D
= 4.6A
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.3A
2
3
0.85
民
600
40
1
100
±
100
典型值
最大
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.
4
0.92
特征值在关闭感性负载
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(2)
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 2.3A
分钟。
典型值。
4
420
30
4
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 50V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
GS
=0V, V
DS
= 0V至480V
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
V
DD
= 480V ，我
D
= 4.6A
V
GS
=10V
（参见图18）
70
pF
Rg
Q
g
Q
gs
Q
gd
门输入电阻
6
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
13
2
7
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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STD6NM60N - STD6NM60N - 1 - STF6NM60N - STP6NM60N
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300V ，我
D
= 2.3A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图17）
分钟。
典型值。
10
8
40
9
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 4.6A ，V
GS
=0
I
SD
= 4.6A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ， TJ = 25°C
（参见图19）
I
SD
= 4.6A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ， TJ = 150℃
（参见图19）
300
2
12
测试条件
民
典型值。
最大
4.6
18.4
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
470
3
12
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/17
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