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N沟道100V - 0.22
- 6A IPAK / DPAK
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STD6NF10
s
s
s
s
s
STD6NF10
V
DSS
100 V
R
DS ( ON)
<0.250
I
D
6A
s
典型
DS
(上) = 0.22
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
低阈值DRIVE
通孔IPAK ( TO- 251 )电源
包装管内(后缀“ -1” )
表面安装DPAK ( TO- 252 )
电源包装在磁带& REEL
(后缀“ T4 ” )
3
2
1
3
1
DPAK
TO-252
(后缀“ T4 ” )
IPAK
TO-251
(后缀“-1” )
描述
这实现了与意法半导体MOSFET系列产品
独特的STripFET进程专门设计
以减少输入电容和栅极电荷。这是
因此适合作为先进的高初级开关
效率,高频隔离型DC- DC转换器
电信和计算机应用。它也意
与低栅极驱动要求的任何应用程序。
内部原理图
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM (
)
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS (2)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
100
100
±
20
6
4
24
30
0.2
40
200
-65 175
(1) I
SD
≤6A,
的di / dt
≤300A/s,
V
DD
V
( BR ) DSS
, T
j
T
JMAX
( 2 )起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= 3A ,V
DD
= 50V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
°C
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
2001年6月
.
1/9
STD6NF10
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
j
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
典型值
5
100
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
= 25
°C
除非另有规定编)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250
A,
V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
=
±
20V
分钟。
100
1
10
±1
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
I
GSS
ON
(1)
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
I
D
= 250
A
I
D
= 3 A
分钟。
2
0.22
典型值。
马克斯。
4
0.25
单位
V
动态
符号
g
飞秒(*)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值,
I
D
= 3 A
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
= 0
分钟。
典型值。
34
280
45
20
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STD6NF10
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 50 V
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
(阻性负载,图3 )
V
DD
= 80 V I
D
= 6 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
6
10
10
2.5
4
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
t
D( Voff时)
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 50 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7,
(阻性负载,图3 )
V
= 80 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7,
(感性负载,图5)
分钟。
典型值。
20
3
19
8
15
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM (
)
V
SD (*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
1.5 %.
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
6
24
单位
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
= 6 A
V
GS
= 0
70
175
5
1.3
I
SD
= 6 A
的di / dt = 100A / μs的
T
j
= 150°C
V
DD
= 10 V
(见测试电路,图5 )
(*)
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比
(
)脉冲
宽度限制了安全工作区主编。
安全工作区
热阻抗
3/9
STD6NF10
输出特性
传输特性
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/9
STD6NF10
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
.
.
.
5/9
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