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STD65NF06
STP65NF06
N沟道60V - 11.5mΩ - 60A - DPAK / TO- 220
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD65NF06
STP65NF06
■
■
V
DSS
60V
60V
R
DS （ ON）
<14m
<14m
I
D
60A
60A
3
1
1
2
3
标准栅极驱动
100％的雪崩测试
DPAK
TO-220
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD65NF06
STP65NF06
记号
D65NF06
P65NF06
包
DPAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
2006年7月
REV 1
1/14
www.st.com
14
目录
STD65NF06 - STP65NF06
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STD65NF06 - STP65NF06
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
dv / dt的
(2)
E
的AS （3）
T
英镑
T
j
2.
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
-55至175
马克斯。工作结温
°C
价值
60
± 20
60
42
240
110
0.73
10
390
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
I
SD
≤
60A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
3.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 30A ，V
DD
= 40V
表2中。
符号
热数据
参数
TO-220
1.36
62.5
--
300
--
50
--
DPAK
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB
热阻结到环境最大
RthJ -PCB
(1)
热阻结到PCB最大
T
l
最大无铅焊接温度的
目的（为10秒。 1.6毫米的情况下）
1.当安装在FR-4的1英寸2 ， 2盎司铜
3/14
电气特性
STD65NF06 - STP65NF06
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
2
11.5
分钟。
60
1
10
±100
4
14
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
m
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25V
,
I
D
= 30A
分钟。
典型值。
50
1700
400
135
15
60
40
16
54
10
20
75
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 30V ，我
D
= 30A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图12）
V
DD
= 30V ，我
D
= 60A,
V
GS
= 10V ，R
G
= 4.7
（见
图13）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
4/14
STD65NF06 - STP65NF06
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 60A ，V
GS
= 0
70
150
4.4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 60A ，的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 25V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流（见
图14）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/14
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