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STD60NF55L
STD60NF55L-1
N沟道55V - 0.012Ω - 60A - DPAK / IPAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD60NF55L-1
STD60NF55L
V
DSS
55V
55V
R
DS ( ON)
<0.015
<0.015
I
D
60A
60A
3
低阈值DRIVE
DPAK
3
2
1
IPAK
1
描述
这是MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻,崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此,一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
开关应用
订购代码
产品型号
STD60NF55LT4
STD60NF55L-1
记号
D60NF55L
D60NF55L
DPAK
IPAK
包装
磁带&卷轴
2006年7月
REV 6
1/14
www.st.com
14
目录
STD60NF55L - STD60NF55L - 1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STD60NF55L - STD60NF55L - 1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
dv / dt的
(2)
E
的AS (3)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
e
单脉冲雪崩能量
储存温度
-55至175
马克斯。工作结温
°C
价值
55
± 15
60
42
240
110
0.73
16
400
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2. I
SD
40A , di / dt的
350A / μs的,V
DD
V(
BR ) DSS
, TJ
T
JMAX
.
3.起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= 17.5A ,V
DD
=24V
表2中。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境的最大
最大无铅焊接温度的目的
1.36
62.5
275
° C / W
° C / W
°C
3/14
电气特性
STD60NF55L - STD60NF55L - 1
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 15V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 30A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 30A
1
0.012
0.014
分钟。
55
1
10
±100
2
0.015
0.017
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
表4 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 10V ,我
D
= 30A
分钟。
典型值。
35
1950
390
130
30
180
80
35
40
10
20
56
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
V
DD
= 25V ,我
D
= 30A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
(见
图12)
V
DD
= 40V ,我
D
= 60A,
V
GS
= 5V ,R
G
= 4.7
(见
图13)
1.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
4/14
STD60NF55L - STD60NF55L - 1
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
I
SD
= 60A ,V
GS
= 0
65
130
4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 40A ,的di / dt = 100A / μs的,
反向恢复电荷V
DD
= 25V ,T
j
= 150°C
反向恢复电流(见
图14)
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
5/14
STD60NF55L
N沟道55V - 0.012Ω - 60A DPAK
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STD60NF55L
s
s
s
V
DSS
55V
R
DS ( ON)
< 0.015Ω
I
D
60A
典型
DS ( ON)
= 0.012
低阈值DRIVE
加后缀“ T4 ” ,供订购在磁带&
REEL
3
1
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
SIZE
条形基础的过程。由此产生的转录
体管显示了极高的堆积密度
低导通电阻,坚固的雪崩characteris-
抽动和不太重要的调整措施,因此一重
可标记制造重复性..
DPAK
TO-252
内部原理图
应用
s
汽车
s
电机控制
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
l
)
P
合计
dv / dt的( 1 )
E
AS
(2)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
55
55
±
15
60
42
240
110
0.73
16
400
- 55 175
(1)I
SD
≤40A,
的di / dt
≤350A/s,
V
DD
V
( BR ) DSS
, T
j
T
JMAX 。
( 2 )起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= 30A ,V
DD
=20V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
°C
(
q
)脉冲宽度LIMI泰德由安全工作区
2002年4月
1/9
STD60NF55L
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.36
62.5
275
° C / W
° C / W
°C
电气特性
( TCASE = 25
°C
除非另有规定编)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250
A,
V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,T
C
= 125
°C
V
GS
=
±
15 V
分钟。
55
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON(1 )
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10 V,I
D
= 30 A
V
GS
= 5 V,I
D
= 30 A
分钟。
1
0.012
0.014
典型值。
马克斯。
2
0.015
0.017
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 10 V,I
D
= 30 A
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
= 0
分钟。
典型值。
35
1950
390
130
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STD60NF55L
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 25 V,I
D
= 30 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 40 V,I
D
= 60 A,
V
GS
= 5 V
分钟。
典型值。
30
180
40
10
20
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试康迪特离子
V
DD
= 25 V,I
D
= 30 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
(见测试电路,图3 )
分钟。
典型值。
80
35
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 60A ,V
GS
= 0
I
SD
= 40 A, di / dt的= 100 A / μs的,
V
DD
= 25 V ,T
j
= 150
°C
(见测试电路,图5 )
65
130
4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/9
STD60NF55L
输出特性
传输特性
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/9
STD60NF55L
归一化门Thereshold电压随温度。
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/9
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操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STD60NF55LT4
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制

电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
STD60NF55LT4
ST(意法)
22+
35889
原装原厂公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
STD60NF55LT4
ST/意法
24+
21000
N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
STD60NF55LT4
ST
22+
10000
TO-252
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
STD60NF55LT4
ST/意法
21+
16800
TO252
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制

电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
STD60NF55LT4
ST
20+
28000
DPAK
1856¥/片,原装正品,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
STD60NF55LT4
ST专家
NA
74390
DPAK
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:421123133 复制

电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
STD60NF55LT4
ST
24+
2484
SOT-252
原装正品现货,可开增值税专用发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
STD60NF55LT4
ST
24+
2484
SOT-252
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
STD60NF55LT4
ST/意法
24+
12850
ROHS
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
STD60NF55LT4
ST
20+
6000
TO252
百分之百原装进口现货
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