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STD60NF55LA
N沟道55V - 0.012Ω - 60A - DPAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD60NF55LA
V
DSS
55V
R
DS ( ON)
<0.015
I
D
60A
低阈值DRIVE
1
DPAK
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
内部原理图
应用
开关应用
订购代码
产品型号
STD60NF55LAT4
记号
D60NF55LA
DPAK
包装
磁带&卷轴
2006年9月
REV 2
1/14
www.st.com
14
目录
STD60NF55LA
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STD60NF55LA
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
dv / dt的
(2)
E
的AS (3)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
e
单脉冲雪崩能量
储存温度
-55至175
马克斯。工作结温
°C
价值
55
± 15
60
42
240
110
0.73
16
400
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2. I
SD
40A , di / dt的
350A / μs的,V
DD
V(
BR ) DSS
, TJ
T
JMAX
.
3.起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= 17.5A ,V
DD
=24V
表2中。
Rthj情况
Rthj - AMB
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境的最大
1.36
100
° C / W
° C / W
3/14
电气特性
STD60NF55LA
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值, @ 125°C
V
GS
= ± 15V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 30A
V
GS
= 5V ,我
D
= 30A
V
GS
= 3.5V, V
DS
>12V
-55°C < < TJ 150℃
35
1
0.012
0.014
分钟。
55
1
10
±100
2
0.015
0.017
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
A
表4 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 10V ,我
D
= 30A
分钟。
典型值。
35
1950
390
130
30
180
80
35
40
10
20
56
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
V
DD
= 25V ,我
D
= 30A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
(见
图13)
V
DD
= 40V ,我
D
= 60A,
V
GS
= 5V ,R
G
= 4.7
(见
图14)
1.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
4/14
STD60NF55LA
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
I
SD
= 60A ,V
GS
= 0
65
130
4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 40A ,的di / dt = 100A / μs的,
反向恢复电荷V
DD
= 25V ,T
j
= 150°C
反向恢复电流(见
图15)
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
5/14
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    STD60NF55LA
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    -
    -
    -
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联系人:朱
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ST/意法
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