STD60NF55L
STD60NF55L-1
N沟道55V - 0.012Ω - 60A - DPAK / IPAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD60NF55L-1
STD60NF55L
■
V
DSS
55V
55V
R
DS （ ON）
<0.015
<0.015
I
D
60A
60A
3
低阈值DRIVE
DPAK
3
2
1
IPAK
1
描述
这是MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD60NF55LT4
STD60NF55L-1
记号
D60NF55L
D60NF55L
包
DPAK
IPAK
包装
磁带&卷轴
管
2006年7月
REV 6
1/14
www.st.com
14
目录
STD60NF55L - STD60NF55L - 1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
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STD60NF55L - STD60NF55L - 1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
dv / dt的
(2)
E
的AS （3）
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
e
单脉冲雪崩能量
储存温度
-55至175
马克斯。工作结温
°C
价值
55
± 15
60
42
240
110
0.73
16
400
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2. I
SD
≤
40A ， di / dt的
≤
350A / μs的，V
DD
≤
V(
BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
.
3.起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 17.5A ，V
DD
=24V
表2中。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境的最大
最大无铅焊接温度的目的
1.36
62.5
275
° C / W
° C / W
°C
3/14
电气特性
STD60NF55L - STD60NF55L - 1
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 15V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 30A
1
0.012
0.014
分钟。
55
1
10
±100
2
0.015
0.017
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 30A
分钟。
典型值。
35
1950
390
130
30
180
80
35
40
10
20
56
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 25V ，我
D
= 30A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
（见
图12）
V
DD
= 40V ，我
D
= 60A,
V
GS
= 5V ，R
G
= 4.7
（见
图13）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
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STD60NF55L - STD60NF55L - 1
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 60A ，V
GS
= 0
65
130
4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 40A ，的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 25V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流（见
图14）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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