STB60N55F3 ， STD60N55F3 ， STF60N55F3
STI60N55F3 ， STP60N55F3 ， STU60N55F3
N沟道55 V ， 6.5 mΩ的80 A， DPAK ， IPAK ，D
2
PAK ，我
2
PAK ， TO- 220
,
TO- 220FP的STripFET III功率MOSFET
特点
TYPE
STB60N55F3
STD60N55F3
STF60N55F3
STI60N55F3
STP60N55F3
STU60N55F3
■
■
V
DSS
55V
55V
55V
55V
55V
55V
R
DS （ ON）
<8.5m
<8.5m
<8.5m
<8.5m
<8.5m
<8.5m
I
D
80A
80A
42A
80A
80A
80A
Pw
110W
1
3
2
3
1
3
2
1
110W
30W
110W
110W
110W
DPAK
TO-220FP
IPAK
3
1
3
12
3
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
DPAK
IPAK
1
2
TO-220
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这的STripFET III功率MOSFET技术
是其中的最新改进，其中有
特别是针对已最大限度地减少通态
电阻提供出色的开关
表演。
表1中。
设备简介
订购代码
STB60N55F3
记号
60N55F3
60N55F3
60N55F3
60N55F3
60N55F3
60N55F3
文档ID 13242牧师4
包
DPAK
DPAK
TO-220FP
IPAK
TO-220
IPAK
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
管
管
管
1/20
www.st.com
20
STD60N55F3
STF60N55F3
STI60N55F3
STP60N55F3
STU60N55F3
2009年4月
目录
STx60N55F3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2/20
文档ID 13242牧师4
STx60N55F3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
DPAK / DPAK
TO-220
IPAK / IPAK
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
dv / dt的
(2)
E
的AS （3）
V
ISO
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
绝缘材料来自三个耐受电压（有效值）
导致外部散热器（ T = 1秒;吨
C
=25°C)
工作结温
储存温度
-55至175
80
56
320
110
0.73
11
390
2500
55
± 20
42
30
168
30
0.2
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
V
TO-220FP
单位
°C
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.
I
SD
＆ LT ;
80 A ， di / dt的
＆ LT ;
300A / μs的，V
DD
＆ LT ;
V
（ BR ） DSS 。
TJ < TJMAX
3.启动TJ = 25°C ，ID = 32 A， VDD = 25 V
表3中。
热阻
价值
符号
参数
DPAK
热电阻junction-
最大的情况下
50
IPAK
IPAK
单位
DPAK TO-220 TO- 220FP
Rthj情况
1.36
35
100
275
62.5
300
5
° C / W
° C / W
° C / W
°C
热电阻junction-
RthJ -PCB
(1)
PCB最大
Rthj -A
T
l
热电阻junction-
环境最大
最大的铅温度
焊接用途
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜
文档ID 13242牧师4
3/20
电气特性
STx60N55F3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
STATIC
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 32A
2
6.5
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
55
10
100
±
200
V
A
A
nA
V
m
4
8.5
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25V ，我
D
=32A
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-
50
2200
500
25
33.5
12.5
9.5
45
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时， V
GS
=0
-
V
DD
= 27V ，我
D
= 65A
V
GS
=10V
（参见图16）
-
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 27V ，我
D
= 32A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图18）
V
DD
= 27V ，我
D
= 32A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图18）
-
-
分钟。
典型值。马克斯。单位
20
50
ns
ns
-
打开-O FF延迟时间
下降时间
35
11.5
-
ns
ns
4/20
文档ID 13242牧师4
STx60N55F3
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM （1）
I
SD
I
SDM （1）
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 65A ，V
GS
= 0
I
SD
= 65A ，V
DD
= 30V
的di / dt = 100A / μs的，
TJ = 150℃
（参见图17）
-
测试条件
套餐
DPAK -D
2
PAK-
I
2
PAK -I
2
PAK-
TO-220
TO-220FP
分钟。
-
典型值。
马克斯。
80
320
42
168
1.5
47
87
3.7
单位
A
A
A
A
V
ns
nC
A
-
-
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 13242牧师4
5/20
STB60N55F3 - STD60N55F3 - STF60N55F3
STP60N55F3 - STU60N55F3
N沟道55V - 6.5mΩ - 80A - DPAK - IPAK - D
2
PAK - TO- 220 / FP
的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB60N55F3
STD60N55F3
STF60N55F3
STP60N55F3
STU60N55F3
■
■
V
DSS
55V
55V
55V
55V
55V
R
DS （ ON）
<8.5m
<8.5m
<8.5m
<8.5m
<8.5m
I
D
80A
80A
42A
80A
80A
Pw
110W
1
3
2
3
2
1
110W
30W
110W
110W
TO-220FP
3
1
IPAK
DPAK
3
1
3
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
DPAK
1
2
TO-220
描述
这n沟道增强型功率
MOSFET是最新的细化
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的过程中，其中有
减少了严格的对准步骤，提供
卓越的制造重复性。该
结果是具有极高的晶体管
堆积密度低导通电阻，坚固耐用
雪崩特性和低栅极电荷。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB60N55F3
STD60N55F3
STF60N55F3
STP60N55F3
STU60N55F3
记号
60N55F3
60N55F3
60N55F3
60N55F3
60N55F3
包
DPAK
DPAK
TO-220FP
TO-220
IPAK
包装
磁带&卷轴
磁带&卷轴
管
管
管
2007年3月
REV 3
1/19
www.st.com
19
目录
STB60N55F3 - STD60N55F3 - STF60N55F3 - STP60N55F3 - STU60N55F3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2/19
STB60N55F3 - STD60N55F3 - STF60N55F3 - STP60N55F3 - STU60N55F3
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
DPAK / DPAK
TO-220FP
TO-220/IPAK
55
± 20
80
56
320
110
0.73
11
390
--
2500
42
30
168
30
0.2
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
V
dv / dt的
(2)
E
的AS （3）
V
ISO
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
绝缘材料来自三个耐受电压（有效值）
导致外部散热器（ T = 1秒;吨
C
=25°C)
工作结温
储存温度
-55至175
°C
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.
I
SD
< 80A ， di / dt的< 300A / μs的，V
DD
＆ LT ; V
（ BR ） DSS 。
TJ < TJMAX
3.启动TJ = 25°C ，ID = 32A ， VDD = 25V
表2中。
符号
热阻
价值
参数
DPAK IPAK DPAK TO- 220 TO- 220FP
热电阻junction-
最大的情况下
50
--
--
--
100
275
单位
Rthj情况
1.36
35
--
--
--
62.5
300
5
--
° C / W
° C / W
° C / W
°C
热电阻junction-
RthJ -PCB
(1)
PCB最大
Rthj -A
T
l
热电阻junction-
环境最大
铅的最大温度
焊接用途
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜
3/19
电气特性STB60N55F3 - STD60N55F3 - STF60N55F3 - STP60N55F3 - STU60N55F3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
STATIC
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 32A
2
6.5
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
55
10
100
±
200
V
A
A
nA
V
m
4
8.5
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25V ，我
D
=32A
民
典型值。马克斯。单位
50
2200
500
25
33.5
12.5
9.5
45
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时， V
GS
=0
V
DD
= 27V ，我
D
= 65A
V
GS
=10V
（参见图15）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/19
STB60N55F3 - STD60N55F3 - STF60N55F3 - STP60N55F3 - STU60N55F3电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 27V ，我
D
= 32A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图17）
V
DD
= 27V ，我
D
= 32A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图17）
分钟。
典型值。
20
50
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
35
11.5
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 65A ，V
GS
= 0
I
SD
= 65A ，V
DD
= 30V
的di / dt = 100A / μs的，
TJ = 150℃
（参见图16）
47
87
3.7
测试条件
套餐
DPAK -D
2
PAK-
I
2
PAK-TO-220
TO-220FP
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
42
168
1.5
单位
A
A
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
I
SDM （1）
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/19
QQ：2880707522 复制
