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首字符S的型号第544页
> STD5NE10
STD5NE10
N - CHANNEL 100V - 0.32
- 5A TO- 251 / TO- 252
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STD5NE10
s
s
s
s
s
V
DSS
100 V
R
DS (O N)
& LT ; 0.4
I
D
5 A
s
典型
DS ( ON)
= 0.32
DV dt能力EXCEPTIONAL /
雪崩测试
100%的雪崩测试
面向应用
表征
加后缀“ T4 ”如需订购在磁带
& REEL
IPAK
TO-251
(后缀“-1” )
3
2
1
1
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的跃迁
STOR显示了极高的堆积密度低
导通电阻,崎岖雪崩特征
并不太重要,因此调整步骤一重
可标记制造重复性。
应用
s
电机控制(磁盘驱动器等)
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
同步整流
DPAK
TO-252
(后缀“ T4 ” )
内部原理图
绝对最大额定值
SYMB OL
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
的dv / dt (
1
)
T
ST克
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25 C
降额F演员
峰值二极管恢复电压斜率
存储牛逼emperature
马克斯。工作结温
o
价值
100
100
±
20
5
3.5
20
25
0.17
0.6
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
如图5A所示, di / dt的
≤
200 A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, TJ
≤
T
JMAX
单位
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1999年5月
1/9
STD5NE10
热数据
R
THJ -case
R
THJ -amb
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
热阻案例散热器
最大的铅温度F或焊接用途
最大
最大
牛逼YP
6
100
1.5
275
o
o
C / W
C / W
o
C / W
o
C
雪崩特性
Symbo升
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= I
AR
, V
DD
= 30V)
最大值
5
25
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
Symbo升
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
100
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流(V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125 C
o
开( *)
Symbo升
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D( 0:N )
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
I
D
= 2.5 A
5
分钟。
2
典型值。
3
0.32
马克斯。
4
0.4
单位
V
A
V
DS
& GT ;我
D( 0:N )
个R
DS ( ON)马X
V
GS
= 10 V
动态
Symbo升
g
F小号
()
C
国际空间站
C
OS s
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试刀豆ditions
V
DS
& GT ;我
D( 0:N )
个R
DS ( ON)马X
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
2.5
305
45
21
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STD5NE10
电气特性
(续)
接通
Symbo升
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延时T IME
上升时间
总摹吃费
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试刀豆ditions
V
DD
= 50 V
I
D
= 3.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(电阻性负载,参见图3)
V
DD
= 80 V I
D
= 5 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
6.5
15
14
6
4
18
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
(六中)D
t
f
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关断延时T IME
秋季牛逼IME
关闭电压上升牛逼IME
秋季牛逼IME
交叉时间
测试刀豆ditions
V
DD
= 50 V
I
D
= 3.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
(电阻性负载,参见图3)
V
DD
= 80 V
I
D
= 7 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
(导入一件IVE负载,参见图5)
分钟。
典型值。
25
7
7
8
16
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
(
)
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 8 A
V
GS
= 0
75
210
5.5
I
SD
= 5 A
的di / dt = 100 A /
s
T
j
= 150
o
C
V
DD
= 50 V
(见测试电路,图5)
测试刀豆ditions
分钟。
典型值。
马克斯。
5
20
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
(
)脉冲宽度有限的安全工作区
对于安全工作区
热阻抗
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STD5NE10
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