STD55N4F5
N沟道40 V, 7.3毫欧, 40 A , DPAK
的STripFET V功率MOSFET
特点
TYPE
STD55N4F5
■
■
■
V
DSS
40 V
R
DS ( ON)
最大
< 8.5毫欧
I
D
55 A
Pw
60 W
3
1
标准阈DRIVE
100%的雪崩测试
表面安装DPAK ( TO- 252 )
DPAK
应用
■
切换应用程序
汽车
图1 。
内部原理图
描述
该STD55N4F5是一个N沟道的STripFET
TM
V.
这种功率MOSFET技术是其中
最新的改进,已特别
量身定制,以达到非常低的导通电阻
还提供最佳的一流的数字中的一个
优点( FOM ) 。
表1中。
设备简介
记号
55N4F5
包
DPAK
包装
磁带和卷轴
订货编号
STD55N4F5
2010年6月
文档ID 15661牧师3
1/13
www.st.com
13
目录
STD55N4F5
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
文档ID 15661牧师3
STD55N4F5
电气特性
表6 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
接通/关断(阻性负载)
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 20 V,I
D
= 27.5 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
图16
V
DD
= 20 V,I
D
= 27.5 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
图16
分钟。
典型值。
15
15
25
6
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 55 A,V
GS
=0
I
SD
=55 A,
的di / dt = 100 A / μs的,
V
DD
= 32 V , TJ = 150℃
图15
测试条件
分钟。
-
-
40
55
3
典型值。
马克斯。
55
220
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
文档ID 15661牧师3
5/13