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STD55N4F5
N沟道40 V, 7.3毫欧, 40 A , DPAK
的STripFET V功率MOSFET
特点
TYPE
STD55N4F5
V
DSS
40 V
R
DS ( ON)
最大
< 8.5毫欧
I
D
55 A
Pw
60 W
3
1
标准阈DRIVE
100%的雪崩测试
表面安装DPAK ( TO- 252 )
DPAK
应用
切换应用程序
汽车
图1 。
内部原理图
描述
该STD55N4F5是一个N沟道的STripFET
TM
V.
这种功率MOSFET技术是其中
最新的改进,已特别
量身定制,以达到非常低的导通电阻
还提供最佳的一流的数字中的一个
优点( FOM ) 。
表1中。
设备简介
记号
55N4F5
DPAK
包装
磁带和卷轴
订货编号
STD55N4F5
2010年6月
文档ID 15661牧师3
1/13
www.st.com
13
目录
STD55N4F5
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
文档ID 15661牧师3
STD55N4F5
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D
I
DM (2)
P
合计
dv / dt的
(3)
E
的AS (4)
T
j
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
=0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
= 100 °C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
价值
40
± 20
55
39
220
60
0.4
15
100
- 55 175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
°C
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
55 A, di / dt的
400 A / μs的,V
DS
V
( BR ) DSS
, TJ
TJMAX
4.起始物为
J
= 25 ° C,I
D
= 27.5 A,V
DD
= 25 V
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB ( 1 )
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
价值
2.5
50
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在1inch FR- 4盎司铜电路板
文档ID 15661牧师3
3/13
电气特性
STD55N4F5
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有说明)
表4 。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
STATIC
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值,
V
DS
=最大额定值, TC = 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 27.5 A
2
7.3
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
40
1
10
100
4
8.5
V
A
A
nA
V
m
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
典型值。马克斯。单位
1600
230
30
25
7
6
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V , F = 1兆赫,V
GS
=0
V
DD
= 20 V,I
D
= 27.5 A
V
GS
=10 V
图14
-
-
-
-
4/13
文档ID 15661牧师3
STD55N4F5
电气特性
表6 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
接通/关断(阻性负载)
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 20 V,I
D
= 27.5 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
图16
V
DD
= 20 V,I
D
= 27.5 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
图16
分钟。
典型值。
15
15
25
6
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 55 A,V
GS
=0
I
SD
=55 A,
的di / dt = 100 A / μs的,
V
DD
= 32 V , TJ = 150℃
图15
测试条件
分钟。
-
-
40
55
3
典型值。
马克斯。
55
220
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
文档ID 15661牧师3
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