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STB4N62K3,
STD4N62K3
N沟道620 V， 1.7
Ω
3.8 SuperMESH3 功率MOSFET
,
在D
2
PAK和DPAK封装
数据表 - 生产数据
特点
订购代码
STB4N62K3
STD4N62K3
■
■
■
■
■
■
V
DSS
620 V
R
DS （ ON）
最大
<2
Ω
I
D
3.8 A
Pw
TAB
70 W
TAB
100％的雪崩测试
DV dt能力极高/
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
改进的二极管的反向恢复
特征
齐纳保护
图1 。
3
1
3
1
DPAK
DPAK
内部原理图
D(2,TAB)
应用
■
切换应用程序
描述
这些设备所使用的制作
SuperMESH3 功率MOSFET技术，
通过应用改进获得
意法半导体的超网技术
结合了新的优化的垂直结构。
所得到的产品具有非常低的上
性，卓越的动态性能和
高雪崩性能，使其特别
适用于最苛刻的应用。
表1中。
设备简介
记号
4N62K3
包
DPAK
DPAK
包装
磁带和卷轴
G(1)
S(3)
AM01476v1
订购代码
STB4N62K3
STD4N62K3
2012年4月
这是在满负荷生产一个产品信息。
文档ID 18337第2版
1/18
www.st.com
18
目录
STB4N62K3 ， STD4N62K3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
文档ID 18337第2版
STB4N62K3 ， STD4N62K3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
I
AR
E
AS
V
ESD （G -S ）
dv / dt的
(2)
V
ISO
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
DPAK
漏源电压
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
雪崩电流，重复或不可─
重复（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50V)
门源ESD（ HBM -C = 100 pF的，
R = 1.5千欧）
峰值二极管恢复电压斜率
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
- 55 150
150
620
± 30
3.8
2
15.2
70
3.8
115
2500
12
DPAK
V
V
A
A
A
W
A
mJ
V
V / ns的
V
°C
°C
单位
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2. I
SD
≤
3.8 A， di / dt的= 400 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
， VDS高峰
≤
V（ BR ） DSS
.
表3中。
符号
R
THJ情况
热数据
价值
参数
DPAK
热阻结案件最大
1.79
50
30
DPAK
° C / W
° C / W
单位
R
THJ -PCB （ 1 ）
热阻结到PCB最大
1.当安装在1inch FR-4板， 2盎司铜。
文档ID 18337第2版
3/18
电气特性
STB4N62K3 ， STD4N62K3
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
门体漏
当前
测试条件
V
GS
= 0, I
D
= 1毫安
V
GS
= 0, V
DS
= 620V
V
GS
= 0
V
DS
= 620V ，T
C
=125 °C
V
DS
= 0, V
GS
= ± 20 V
3
3.75
1.7
分钟。
620
1
50
± 10
4.5
2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
Ω
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （上
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
静态漏源导通
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.9 A
阻力
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（1）
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
550
42
7
27
5
22
4
13
马克斯。
单位
pF
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
DS
= 0 496 V ，V
GS
= 0
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 496 V，I
D
= 3.8 A,
V
GS
= 10 V
（见
图18）
-
2
-
10
-
-
1. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 1.9 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（见
图17）
分钟。
典型值。
10
9
29
19
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
4/18
文档ID 18337第2版
STB4N62K3 ， STD4N62K3
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 3.8 A，V
GS
= 0
I
SD
= 3.8 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V （见
图22）
I
SD
= 3.8 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V ，T
j
= 150 °C
（见
图22）
测试条件
分钟。
-
-
-
220
1.4
13
270
1.9
14
典型值。
MAX 。 UNIT
3.8
15.2
1.6
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表8 。
符号
BV
GSO
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ±1 MA（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
-
MAX 。 UNIT
V
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
该器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
这可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
文档ID 18337第2版
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