S T U / D4525NL
S amHop微电子 ORP 。
ARP， 2005年20 ver1.2
NC hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
25V
F ê乌尔（E S）
( m
W
）T YP
I
D
45A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
7.5 @ V
的s
= 10V
15 @ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
TO251和252 P ackage 。
D
D
G
S
G
D
S
G
S TU性S E IE S
TO- 252AA （D -P AK ）
的TD性S E IE S
的TO- 251 （1- P AK）的
S
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许目标电压r阿婷
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
@ T
C
=25 C
b
-P ulsed
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度法兰
S ymbol
Vspike
d
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
30
25
20
45
75
20
50
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到C的酶
热 esistance ，结到环境
a
1
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
S T U / D4525NL
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
c
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=9A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 9A
最小值典型值
C
最大单位
25
1
V
uA
100 nA的
1
1.8
7.5
15
60
13.5
1485
440
290
3
21
V
兆欧
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
9.5
兆欧
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
V
DD
= 15V
I
D
= 1A
V
GS
= 10V
R
GE
= 6欧姆
V
DS
= 15V ，我
D
=9A,V
GS
=10V
V
DS
= 15V ，我
D
=9A,V
GS
=4.5V
V
DS
= 15V ，我
D
=9A
V
GS
=10V
17.8
52.5
34.6
28.2
29.6
15.8
5.2
8
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
S T U / D4525NL
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
S ymbol
条件
最小典型最大单位
0.9
1.3
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
a
二极管的正向电压
V
GS
= 0V ，是= 20A
V
SD
笔记
A. urface安装在FR 4局，T 10秒。
b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
d.Guaranteed当外部R G = 6欧姆和TF < TF最大
20
16
V
的s
=4.5V
V
的s
=8V
V
的s
=10V
20
V
的s
=4V
25 C
-55 C
15
I
D
，排水光凭目前 （A ）
12
I
D
，排水光凭目前 （A ）
10
T J = 125℃
5
8
4
0
V
的s
=3V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.9
1.8
2.7
3.6
4.5
5.4
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
2400
1.8
F igure 2.跨FER haracteris抽动
R
DS （ ON）
，在-R es是tance
归
2000
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-55
V
的s
=10V
I
D
=9A
C，C apacitance （PF ）
1600
1200
800
C为S
OS s
400
0
RS s
0
5
10
15
20
25
30
-25
0
25
50
75
100 125
T J （ C）
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
3
S T U / D4525NL
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
ID=250uA
6
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
24
V
DS
=10V
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
g
F小号
，T失败者电导（ S）
是，S环境允许的漏电流（ A）
20
16
12
8
4
0
0
5
10
15
20
10.0
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
10
I
D
，排水光凭目前 （A ）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
400
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
8
6
4
2
0
0
V
DS
=15V
I
D
=9A
100
R
(
DS
)
ON
升IM
it
10
10
1s
DC
ms
0m
10 1
s
1
0.1
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10 25
60
4
8
12
16
20
24
28 32
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
4
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
S T U / D4525NL
V
DD
t
on
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
INVE TE
6
S
V
IN
50%
10%
50%
P ULS e×宽度
F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit
F igure 12 S魔力波形
10
归一化瞬时
热阻
1
0.5
0.2
0.1
P
DM
t
1
on
0.1
0.05
0.02
0.01
1.
2.
3.
4.
t
2
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.00001
R
THJ一
（吨） = R （t）的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗曲线
5
QQ：2881677436 复制
