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STD44N4LF6
N沟道40 V ， 8.9毫欧44采用DPAK
,
的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET
特点
订货编号
STD44N4LF6
■
■
V
DSS
40 V
R
DS （ ON）
最大
12.5 m
I
D
44 A
100％的雪崩测试
逻辑电平驱动器
1
3
应用
■
■
切换应用程序
汽车
DPAK
描述
这个设备是一个N沟道功率MOSFET
采用第6代的STripFET 的开发
DeepGATE 技术，以崭新的门
结构。由此产生的功率MOSFET展品
在低R
DS （ ON）
在所有的包。
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
订货编号
记号
44N4LF6
包
DPAK
包装
磁带和卷轴
STD44N4LF6
2011年10月
文档ID 17171牧师4
1/15
www.st.com
15
目录
STD44N4LF6
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
文档ID 17171牧师4
STD44N4LF6
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
40
± 20
44
31
176
50
0.33
- 55 175
工作结温
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
T
英镑
T
j
储存温度
1.脉冲是根据SOA评分
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
(1)
价值
3
50
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在1英寸
2
， 2盎司铜。
表4 。
符号
I
AV
E
的AS （1）
雪崩数据
参数
不重复性雪崩电流
单脉冲雪崩能量
价值
20
150
单位
A
mJ
1.启动TJ = 25 ° C，I
D
= I
AV
, V
DD
= 24 V
文档ID 17171牧师4
3/15
电气特性
STD44N4LF6
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
STATIC
参数
漏源击穿
电压V
GS
= 0
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 A
V
DS
= 20 V
V
DS
= 20 V ，TC = 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
1
分钟。
40
典型值。
-
-
-
-
11.3
8.9
1
10
±
100
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
m
2.5
18
12.5
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内在的栅极电阻
测试条件
民
典型值。
1190
200
110
22
5
4.3
3.1
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0 V
V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
（见
图14）
F = 1 MHz的漏极开路
-
-
-
-
-
-
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 20 V，I
D
= 20 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图15）
分钟。
-
-
典型值。
8.5
45
30
8
马克斯。
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
4/15
文档ID 17171牧师4
STD44N4LF6
电气特性
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 20 A，V
GS
= 0
I
SD
= 40 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 32 V ，T
J
= 150 °C
（见
图17）
测试条件
分钟。
-
-
25
25
2
典型值。
马克斯。
44
176
1.1
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 17171牧师4
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    STD44N4LF6
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