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STU/D432S
SAMHOP微电子股份有限公司
十一月， 19,2007 ver1.4
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
4
产品概述
V
DSS
40V
特点
( m
W
）最大
I
D
50A
R
DS （ ON）
超级高密度电池设计低R
DS （上
).
坚固可靠。
的TO- 252和TO- 251封装。
D
9 @ V
GS
= 10V
D
G
S
G
D
S
G
STU系列
TO-252AA(D-PAK)
STD系列
TO-251(l-PAK)
S
绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续@Ta
-Pulsed
a
漏源二极管的正向电流
雪崩电流
雪崩能量
c
a
符号
V
DS
V
GS
a
极限
40
20
50
100
20
23
130
50
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
C
25 C
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
b
c
最大功率耗散
TA = 25℃
工作结存储
温度范围
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
1
STU/D432S
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
5
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
a
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 32V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A
最小典型最大单位
40
1
V
uA
100 nA的
1.25
1.6
7
9
30
28
1130
240
145
3
9
11
V
兆欧
兆欧
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
b
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
A
S
P
F
P
F
P
F
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
开关特性
b
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15V
I
D
= 10 A
V
GS
= 10V
R
根
= 3.3欧姆
V
DS
= 15V ，我
D
=10A,V
GS
=10V
V
DS
= 15V ，我
D
=10A,V
GS
=4.5V
V
DS
= 15V ，我
D
= 10A
V
GS
=10V
2
18
22
61
9.6
23.5
11.5
2.7
3.2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
S T U / D432S
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 20A
最小典型最大单位
0.91
1.3
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
a
笔记
a.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
100
V
的s
=10V
80
V
的s
=4V
48
V
的s
=3.5V
60
c.
荷兰国际集团开始牛逼
J
= 25℃ ， L = 0.5 mH的，R
G
= 25
W
, I
AS
= 23 A，V
DD
＆ LT ;
V
（ BR ） DSS
（见Figure13 ）
-
60
I
D
，排水光凭目前 （A ）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
36
-55 C
24
T J = 125℃
12
0
25 C
40
V
的s
=3V
20
V
的s
=2.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.7
1.4
2.1
2.8
3.5
4.2
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
20
F igure 2.跨FER haracteris抽动
2.0
R
DS （ ON）
，在-R es是tance
归
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0
V
的s
=10V
I
D
=10A
16
R
DS （ ON）
(m
W
)
12
8
4
V
的s
=4.5V
V
的s
=4.5V
I
D
=5A
V
的s
=10V
1
1
20
40
60
80
100
0
25
50
75
100
125
150
T J （ C）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前
和G吃了V oltage
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
3
S T U / D432S
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.40
I
D
=250uA
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
6
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
30
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
60
I
D
=10A
是，S环境允许的漏电流（ A）
25
R
DS （ ON）
(m
W
)
20
125 C
15
10
75 C
5
0
25 C
20
125 C
25 C
10
0
2
4
6
8
10
1
0
0.24
0.48
0.72
0.96
1.20
V
的s
，G ate- S环境允许的电压（V ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
4
STU/D432S
1800
1500
西塞
10
V
GS
，门源电压（ V）
8
6
4
2
0
V
DS
=15V
I
D
=10A
C，电容（pF ）
1200
900
600
科斯
300
CRSS
0
0
5
10
15
20
25
30
6
0
4
8
12
16
20
24
28 32
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图9.电容
图10.栅极电荷
350
600
100
LIM
it
(O
10
切换时间（纳秒）
I
D
，漏电流（ A）
100
60
10
TD （关闭）
Tr
Tf
TD （上）
1m
10
s
10
R
D
0m
ms
N)
s
S
1s
DC
1
1
V DS = 15V ，ID = 10A
V G S = 10V
1
0.5
0.1
V
GS
=10V
单脉冲
TC = 25℃
6 10
60 100 300 600
1
10
30
60
RG ，栅极电阻（
W
)
V
DS
，漏源电压（V ）
图11.switching特点
图12.最大安全
工作区
5
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推荐型号
SMAJ45(C)
SAA8116
SLE66C320S
ST92F250JDV9T6
STK4234MK5
SM79108
SI-51007
S24SA12012NRFB
S15-48-12D
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