STD3PS25 - STD3PS25-1
P沟道250V - 2.1Ω - 3A DPAK / IPAK
MESH OVERLAY MOSFET
TYPE
STD3PS25
STD3PS25-1
s
s
s
V
DSS
250 V
250 V
R
DS （ ON）
< 2.8
< 2.8
I
D
3A
3A
3
1
2
1
3
s
s
典型
DS
（上） = 2.1Ω
100％的雪崩测试
面向应用
表征
标准大纲EASY
自动化表面贴装
门源稳压二极管
DPAK
IPAK
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中，意法半导体设计了一个AD-
vanced系列功率MOSFET具有突出的
性能。新专利带布局cou-
PLED与本公司专有的边缘端接
化结构，使得它适合于coverters的
照明应用。
内部原理图
应用
s
消费者
s
灯光
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(1)
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
250
250
±25
3
1.9
12
45
0.36
- 50至150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
2003年6月
1/10
STD3PS25 - STD3PS25-1
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 125V ，我
D
= 1.5A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（电阻，见图3）
V
DD
= 200V ，我
D
= 1.5A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
12
22
16
1.4
7.6
21
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 200V ，我
D
= 1.5A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
29.5
7
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(4)
V
SD
(5)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复柯伦
I
SD
= 3A ，V
GS
= 0
I
SD
= 0.60A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
≤ 40V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
143
806
11
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
12
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 500 μA （漏极开路）
分钟。
± 25
典型值。
马克斯。
单位
V
（ 4 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
（ 5 ）脉冲宽度有限的安全工作区
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
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STD3PS25 - STD3PS25-1
栅极电荷VS栅源电压P沟道
电容变化P沟道
常态。门Thereshold电压随温度P沟道
NormalizedOnResistancevsTemperaturep路
源drainDiodeForwardCharacteristicsp路
归一化的BVDSS与温度的P沟道
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P沟道250V - 2.1Ω - 3A DPAK / IPAK
MESH OVERLAY MOSFET
TYPE
STD3PS25
STD3PS25-1
s
s
s
V
DSS
250 V
250 V
R
DS （ ON）
< 2.8
< 2.8
I
D
3A
3A
3
1
2
1
3
s
s
典型
DS
（上） = 2.1Ω
100％的雪崩测试
面向应用
表征
标准大纲EASY
自动化表面贴装
门源稳压二极管
DPAK
IPAK
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中，意法半导体设计了一个AD-
vanced系列功率MOSFET具有突出的
性能。新专利带布局cou-
PLED与本公司专有的边缘端接
化结构，使得它适合于coverters的
照明应用。
内部原理图
应用
s
消费者
s
灯光
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(1)
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
250
250
±25
3
1.9
12
45
0.36
- 50至150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
2003年6月
1/10
STD3PS25 - STD3PS25-1
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 125V ，我
D
= 1.5A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（电阻，见图3）
V
DD
= 200V ，我
D
= 1.5A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
12
22
16
1.4
7.6
21
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 200V ，我
D
= 1.5A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
29.5
7
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(4)
V
SD
(5)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复柯伦
I
SD
= 3A ，V
GS
= 0
I
SD
= 0.60A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
≤ 40V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
143
806
11
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
12
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 500 μA （漏极开路）
分钟。
± 25
典型值。
马克斯。
单位
V
（ 4 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
（ 5 ）脉冲宽度有限的安全工作区
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
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栅极电荷VS栅源电压P沟道
电容变化P沟道
常态。门Thereshold电压随温度P沟道
NormalizedOnResistancevsTemperaturep路
源drainDiodeForwardCharacteristicsp路
归一化的BVDSS与温度的P沟道
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