STP4NM60
STD3NM60 - STD3NM60-1
N沟道600V - 1.3Ω - 3A TO- 220 / DPAK / IPAK
齐纳保护的MDmesh 功率MOSFET
TYPE
STP4NM60
STD3NM60
STD3NM60-1
s
s
s
s
V
DSS
600 V
600 V
600 V
R
DS （ ON）
< 1.5
< 1.5
< 1.5
I
D
4A
3A
3A
Pw
69 W
42 W
42 W
2
1
3
s
s
典型
DS
（上） = 1.3
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
改进的ESD能力
低输入电容和栅极
收费
低门输入电阻
严格的流程控制和高
MANUFACTORING产额
IPAK
TO-220
3
1
DPAK
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET
技术相关联的多个漏亲
塞斯与公司的PowerMESH 水平
布局。由此产生的产品具有出色的低
导通电阻，令人印象深刻的高dv / dt和优良
雪崩特性。采用的
公司的专有技术，带整体产生
动态性能比显著更好
这类似completition的产品。
内部原理图
应用
在的MDmesh 系列是非常适合增加
高电压转换器的功率密度允许 -
荷兰国际集团系统的小型化和更高的效率。
订购信息
销售类型
STP4NM60
STD3NM60T4
STD3NM60-1
记号
P4NM60
D3NM60
D3NM60
包
TO-220
DPAK
IPAK
包装
管
磁带&卷轴
管
2002年9月
1/12
STP4NM60 / STD3NM60 / STD3NM60-1
绝对最大额定值
符号
参数
STP4NM60
价值
STD3NM60
STD3NM60-1
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
l
)
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
4
2.52
16
69
0.55
600
600
± 30
3
1.9
12
42
0.33
15
-65到150
-65到150
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
°C
(
l
）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤3A,
的di / dt
≤400
A，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
热数据
TO-220
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.82
62.5
300
DPAK
IPAK
3
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
1.5
200
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/12
STP4NM60 / STD3NM60 / STD3NM60-1
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.5 A
3
4
1.3
分钟。
600
1
10
±5
5
1.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 1.5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
2.7
324
132
7.4
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 1.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 3 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
9
4
10
3
4.7
14
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 480 V，I
D
= 3 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
16.5
10.5
15
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 3 A，V
GS
= 0
I
SD
= 3 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 3 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
224
1
9
296
1.4
9.3
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
12
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3/12
STP4NM60 / STD3NM60 / STD3NM60-1
安全工作区TO- 220
对于TO- 220热阻抗
安全工作区DPAK / IPAK
热阻抗为DPAK / IPAK
输出特性
传输特性
4/12
STP4NM60 / STD3NM60 / STD3NM60-1
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
5/12
STP4NM60
STD3NM60 ， STD3NM60-1
N沟道600 V ， 1.3
3 A TO -220 ， DPAK ， IPAK
,
齐纳保护的MDmesh 功率MOSFET
特点
TYPE
STD3NM60
STD3NM60-1
STP4NM60
650
< 1.5
3A
4A
42 W
1
2
V
DSS
(@T
JMAX
)
R
DS （ ON）
最大
I
D
P
W
3
1
3
DPAK
TO-220
69 W
3
2
1
■
■
■
■
■
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
改进的ESD能力
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
严密的过程控制和制造高
收益率
图1 。
IPAK
内部原理图
应用
■
开关
描述
调制解调器技术应用的好处
多个排水过程意法半导体的良好
著名的PowerMESH 水平布局结构。
所得到的产物具有低的导通电阻，
高dv / dt性能和出色的雪崩
的特点。
表1中。
设备简介
记号
D3NM60
D3NM60
P4NM60
包
DPAK
IPAK
TO-220
填料
磁带和卷轴
管
管
订货编号
STD3NM60
STD3NM60-1
STP4NM60
2009年9月
文档编号8370修订版4
1/17
www.st.com
17
目录
STD3NM60 ， STD3NM60-1 ， STP4NM60
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
文档编号8370修订版4
STD3NM60 ， STD3NM60-1 ， STP4NM60
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
STP4NM60
STD3NM60
STD3NM60-1
600
± 30
4
2.52
16
69
0.55
15
-65到150
储存温度
°C
3
1.9
12
42
0.33
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
dv / dt的
(2)
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2. I
SD
≤
3 A， di / dt的
≤
400 μA ，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
.
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热数据
价值
参数
To-220
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
1.82
62.5
300
DPAK / IPAK
3
° C / W
° C / W
°C
单位
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复（脉冲
宽度为T的限制
JMAX
)
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
价值
1.5
200
单位
A
mJ
文档编号8370修订版4
3/17
电气特性
STD3NM60 ， STD3NM60-1 ， STP4NM60
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
3
4
1.3
分钟。
600
1
10
±5
5
1.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 1.5 A
分钟。
-
典型值。
2.7
324
132
7.4
9
4
16.5
10.5
10
3
4.7
马克斯。
-
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
DD
= 300 V，I
D
= 1.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见
图15）
V
DD
= 480 V，I
D
= 3 A,
V
GS
= 10V
（见
图21）
-
-
14
-
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
4/17
文档编号8370修订版4
STD3NM60 ， STD3NM60-1 ， STP4NM60
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 3 A，V
GS
= 0
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
12
1.5
224
1
9
296
1.4
9.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
C
A
-
-
-
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 3 A， di / dt的= 100 A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 100 V，T
j
= 25°C
反向恢复电流（见
图17）
反向恢复时间
I
SD
= 3 A， di / dt的= 100 A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
反向恢复电流（见
图17）
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表8 。
符号
BV
GSO
门源稳压二极管
(1)
参数
栅源击穿
电压
测试条件
I
gs
= ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
-
马克斯。
-
单位
V
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
文档编号8370修订版4
5/17
QQ：2880707522 复制
