STQ3NK50ZR-AP
STD3NK50Z - STD3NK50Z - 1
N沟道500V - 2.8Ω - 2.3A TO- 92 / DPAK / IPAK
齐纳保护的超网 MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STQ3NK50ZR-AP
STD3NK50Z
STD3NK50Z-1
s
s
s
s
s
s
图1 ：包装
R
DS （ ON）
3.3
3.3
3.3
I
D
0.5 A
2.3 A
2.3 A
Pw
3W
45 W
45 W
V
DSS
500 V
500 V
500 V
3
1
典型
DS
（上） = 2.8Ω
DV dt能力极高/
ESD改进的能力）
100％的雪崩测试
新的高压BENCHMARK
栅极电荷最小化
TO- 92 （ Ammopak ）
DPAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立条极端opyimization
基础的PowerMESH 布局。除了推挽
荷兰国际集团的导通电阻significatly下降，特别护理
为确保在一个很好的dv / dt能力
最苛刻的应用程序。这种系列完井
ments ST全系列高电压的MOSFET
icluding革命性的MDmesh 产品
应用
s
AC转接器和电池充电器
s
SWITH模式电源（ SMPS ）
s
灯光
3
2
1
IPAK
图2 ：内部原理图
表2 ：订单编码器
销售类型
STQ3NK50ZR-AP
STD3NK50Z
STD3NK50Z-1
记号
Q3NK50ZR
D3NK50Z
D3NK50Z
包
TO-92
DPAK
IPAK
包装
AMMOPAK
磁带&卷轴
管
第2版
2005年1月
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STD3NK50Z - STD3NK50Z -1 - STQ3NK50ZR -AP
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
T
j
T
英镑
参数
DPAK / IPAK
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100 pF的， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
2.3
1.45
9.2
45
0.36
2000
4.5
-55到150
500
500
±30
0.5
0.32
2
3
0.025
价值
TO-92
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
单位
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1)
I
D
≤
2的di / dt
≤
200A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
表4 ：热数据
DPAK
Rthj情况
Rthj - AMB
Rthj铅
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻结铅最大
最大无铅焊接温度的目的
50 (#)
--
275
2.77
100
--
IPAK
TO-92
--
120
40
260
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
（ ＃ ）当安装在1inch FR4 ， 2盎司纯铜电路板。
表5：雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
马克斯。值
2.3
120
单位
A
mJ
表6 ：门源齐纳二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
内置的后端到后端的齐纳二极管已经专门设计用来enchance不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
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STD3NK50Z - STD3NK50Z -1 - STQ3NK50ZR -AP
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表7 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.15 A
3
3.75
2.8
分钟。
500
1
50
±10
4.5
3.3
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表8 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 1.15 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
1.5
280
42
8
27.5
8
13
24
14
11
2.5
5.6
15
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400 V
V
DD
= 250 V，I
D
= 1.15 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（参见图19）
V
DD
= 400 V，I
D
= 2.3 A,
V
GS
= 10V
（参见图22）
表9 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 2.3 A，V
GS
= 0
I
SD
= 2.3 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
≤ 40V ，T
j
= 25°C
（参见图20）
I
SD
= 2.3A ，的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
≤ 40V ，T
j
= 150°C
（参见图20）
250
745
6
300
960
6.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
2.3
9.2
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
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STD3NK50Z - STD3NK50Z -1 - STQ3NK50ZR -AP
图3 ：安全工作区TO- 92
图6 ：热阻抗TO- 92
图4 ：安全工作区DPAK / IPAK
图7 ：热阻抗为DPAK / IPAK
图5：输出特性
图8 ：传输特性
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STD3NK50Z - STD3NK50Z -1 - STQ3NK50ZR -AP
图9 ：跨导
图12 ：电容变化
图10 ：栅极电荷VS栅源电压
图13 ：归栅极阈值电压
与温度
图11 ：静态漏源导通电阻
图14 ：源极 - 漏极转发Characteris-
TICS
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