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STD3NA50
N - 沟道增强型
功率MOS晶体管
TYPE
STD3NA50
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 3
I
D
2.7 A
s
s
典型
DS （ ON）
= 2.4
雪崩坚固的技术
100％的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
面向应用
表征
通孔IPAK （ TO- 251 ）电源
包装管内（后缀“ -1” ）
表面安装DPAK （ TO- 252 ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀“ T4 ” ）
3
1
IPAK
TO-251
（后缀“-1” ）
2
1
DPAK
TO-252
3
（后缀“ T4 ” ）
应用
s
高速开关
s
不间断电源（ UPS ）
s
电机控制，音频放大器
s
工业激励器
s
DC-DC & DC-AC转换器
电信，工业和消费类
环境
s
特别适合于
电子荧光灯
块石
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
500
500
±
30
2.7
1.7
10.8
50
0.4
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1996年11月
1/10
STD3NA50
热数据
R
THJ - CAS é
R
thj- AMB
R
thj- AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
热阻案例散热器
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
典型值
2.5
80
0.7
275
o
o
C / W
C / W
o
C / W
o
C
雪崩特性
符号
I
A R
E
AS
E
AR
I
A R
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
D D
= 50 V)
重复性雪崩能量
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
雪崩电流，重复或不重复
(T
c
= 100
o
C，脉冲宽度为T的限制
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
最大值
2.7
40
2
1.7
单位
A
mJ
mJ
A
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DS S
I
摹SS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
的s
= 0
分钟。
500
25
250
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值×0.8
门体漏
电流（V
S
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125 C
o
开（ *）
符号
V
的s （次）
R
DS （ ON）
I
D（上）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 1.5 A
3.3
分钟。
2.25
典型值。
3
2.4
马克斯。
3.75
3
单位
V
A
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
S（上）最大
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
S（上）最大
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 1.5 A
V
的s
= 0
分钟。
1.2
典型值。
2.2
370
62
20
485
81
27
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/10
STD3NA50
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
DD
= 250 V I
D
= 1.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 18
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400 V I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 18
（见测试电路，图5 ）
V
DD
= 400 V
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
14
23
340
马克斯。
20
30
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
21
6
9
28
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ VOF F）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 400 V I
D
= 3 A
R
G
= 18
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
13
11
26
马克斯。
18
16
35
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
S.D。
I
SDM
()
V
S.D。
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 2.7 A
V
GS
= 0
350
4.2
24
I
SD
= 3] A的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
T
j
= 150
o
C
（见测试电路，图5 ）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
2.7
10.8
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/10
STD3NA50
降额曲线
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
4/10
STD3NA50
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
导通电流斜率
关断漏源电压斜率
交叉时间
5/10
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ST
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