【STD3N25N - 沟道增强型功率MOS晶体管TYPESTD3N25sssssVDSS250 V】,IC型号STD3N25T4,STD3N25T4 PDF资料,STD3N25T4经销商,ic,电子元器件-51电子网

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STD3N25

N - 沟道增强型

功率MOS晶体管

TYPE

STD3N25

s

s

s

s

s

V

DSS

250 V

R

DS （ ON）

＆ LT ; 2

I

D

3A

s

s

典型

DS （ ON）

= 1

雪崩坚固的技术

100％的雪崩测试

重复性雪崩数据的AT 100

o

C

面向应用

表征

通孔IPAK （ TO- 251 ）电源

包装管内（后缀“ -1” ）

表面安装DPAK （ TO- 252 ）

电源包装在磁带& REEL

（后缀“ T4 ” ）

3

1

IPAK

TO-251

（后缀“-1” ）

2

1

DPAK

TO-252

3

（后缀“ T4 ” ）

应用

s

高速开关

s

不间断电源（ UPS ）

s

电机控制，音频放大器

s

工业激励器

s

DC-DC & DC-AC转换器

电信，工业和消费类

环境

s

特别适合于

电子荧光灯

块石

内部原理图

绝对最大额定值

符号

V

S

V

DG

V

GS

I

D

I

D

I

D M

()

P

合计

T

英镑

T

j

参数

漏源电压（V

GS

= 0)

漏极 - 栅极电压（R

GS

= 20 k)

栅源电压

漏电流（连续）在T

c

= 25

o

C

漏电流（连续）在T

c

= 100

o

C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

c

= 25

o

C

降额因子

储存温度

马克斯。工作结温

价值

250

250

±

20

3

1.9

12

45

0.36

-65到150

150

单位

V

V

V

A

A

A

W

W/

o

C

o

o

C

C

（）脉冲宽度有限的安全工作区

1995年1月

1/10

STD3N25

热数据

R

THJ - CAS é

R

thj- AMB

R

吨HC-罪

T

l

热阻结案件

热阻结到环境

热阻案例散热器

最大无铅焊接温度的目的

最大

最大

典型值

2.78

100

1.5

275

o

o

C / W

C / W

o

C / W

o

C

雪崩特性

符号

I

A R

E

AS

E

AR

I

A R

参数

雪崩电流，重复或不重复

（脉冲宽度限制T

j

最大，

δ

＆ LT ; 1％）的

单脉冲雪崩能量

（起始物为

j

= 25

o

C，我

D

= I

AR

, V

D D

= 50 V)

重复性雪崩能量

（脉冲宽度限制T

j

最大，

δ

＆ LT ; 1％）的

雪崩电流，重复或不重复

(T

c

= 100

o

C，脉冲宽度为T的限制

j

最大，

δ

＆ LT ; 1％）的

最大值

3

20

5

1.9

单位

A

mJ

mJ

A

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

关闭

符号

V

（ BR ） DSS

I

DS S

I

摹SS

参数

漏源

击穿电压

测试条件

I

D

= 250

A

V

的s

= 0

分钟。

250

250

1000

±

100

典型值。

马克斯。

单位

V

A

A

nA

零栅极电压

V

DS

=最大额定值

漏电流（V

GS

= 0) V

DS

=最大额定值×0.8

门体漏

电流（V

S

= 0)

V

GS

=

±

20 V

T

c

= 125 C

o

开（ *）

符号

V

的s （次）

R

DS （ ON）

I

D（上）

参数

栅极阈值电压V

DS

= V

GS

静态漏源

阻力

在国家漏极电流

测试条件

I

D

= 250

A

T

c

= 100

o

C

3

分钟。

2

典型值。

3

1

马克斯。

4

2

4

单位

V

A

V

GS

= 10V我

D

= 1.5 A

V

GS

= 10V我

D

= 1.5 A

V

DS

＆ GT ;我

D（上）

个R

S（上）最大

V

GS

= 10 V

动态

符号

g

fs

()

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

V

DS

＆ GT ;我

D（上）

个R

S（上）最大

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

I

D

= 1.5 A

V

的s

= 0

分钟。

1

典型值。

1.8

370

60

10

500

100

20

马克斯。

单位

S

pF

pF

pF

2/10

STD3N25

电气特性

（续）

接通

符号

t

D（上）

t

r

（ di / dt的）

on

参数

开启时间

上升时间

导通电流斜率

测试条件

V

DD

= 125 V I

D

= 1.5 A

V

GS

= 10 V

R

G

= 50

（见测试电路，图3 ）

V

DD

= 200 V I

D

= 3 A

R

G

= 50

V

GS

= 10 V

（见测试电路，图5 ）

V

DD

= 200 V

I

D

= 3 A

V

GS

= 10 V

分钟。

典型值。

15

45

180

马克斯。

25

65

单位

ns

ns

A / μs的

Q

g

Q

gs

Q

gd

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

16

5

6

25

nC

nC

nC

关闭

符号

t

R（ VOF F）

t

f

t

c

参数

关闭电压上升时间

下降时间

交叉时间

测试条件

V

DD

= 200 V I

D

= 3 A

R

G

= 50

V

GS

= 10 V

（见测试电路，图5 ）

分钟。

典型值。

15

15

35

马克斯。

25

25

55

单位

ns

ns

ns

源漏二极管

符号

I

S.D。

I

SDM

()

V

S.D。

()

t

rr

Q

rr

I

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

反向恢复

时间

反向恢复

收费

反向恢复

当前

I

SD

= 3 A

V

GS

= 0

180

1.2

13

I

SD

= 3 A

的di / dt = 100 A / μs的

V

DD

= 100 V

T

j

= 150

o

C

（见测试电路，图5 ）

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

3

12

1.5

单位

A

A

V

ns

C

A

（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300

s,

占空比1.5 ％

（）脉冲宽度有限的安全工作区

安全工作区

热阻抗

3/10

STD3N25

降额曲线

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

4/10

STD3N25

电容变化

归栅极阈值电压VS

温度

归一通电阻与温度

导通电流斜率

关断漏源电压斜率

交叉时间

5/10

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21+

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联系人：朱先生

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ST

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