【STU/D320SS A mHop微电子 ORP 。版本1.0N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管产品】,IC型号STD320S,STD320S PDF资料,STD320S经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第25页 > STD320S

STU/D320S

S A mHop微电子 ORP 。

版本1.0

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

产品概述

V

DSS

30V

特点

超级高密度电池设计低R

DS （ ON）

.

坚固可靠。

的TO- 252和TO- 251封装。

I

D

30A

R

DS （ ON）

(m

）最大

20

@

VGS=10V

29

@

VGS=4.5V

ESD保护。

D

D

G

S

G

D

G

S

STU系列

TO-252AA(D-PAK)

STD系列

TO-251(l-PAK)

S

绝对

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

E

AS

P

D

T

J,

T

英镑

最大额定值（

T

C

=25

°

C除非另有说明

)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

-Pulsed

雪崩能量

d

最大功率耗散

a

b

a

极限

30

±20

30

24

120

15

e

单位

V

V

A

A

A

mJ

W

W

°C

T

C=

25 °C

T

C=

70 °C

T

C=

25 °C

T

C=

70 °C

32

20

-55到150

工作结存储

温度范围

热特性

R

JC

R

JA

热阻，结到外壳

a

热阻，结到环境

a

4

50

° C / W

° C / W

Aug,11,2008

1

www.samhop.com.tw

STU/D320S

版本1.0

电气特性

(

T

C

=25

°

C除非另有说明

)

符号

参数

条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

V

DS

=24V , V

GS

=0V

民

30

典型值

最大

单位

V

开关特性

漏源击穿电压

BV

DSS

零栅极电压漏极电流

I

DSS

门体漏电流

I

GSS

基本特征

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

R

DS （ ON）

g

FS

漏源导通电阻

正向跨导

V

GS

= ±20V , V

DS

=0V

1

±10

3

20

29

A

uA

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

GS

= 10V ，我

D

=15A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=12.5A

V

DS

= 10V ，我

D

=15A

1

1.8

16

22

12

430

140

88

8

13

16

30

8

4

0.9

2.5

V

兆欧

兆欧

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

nC

动态特性

c

输入电容

C

国际空间站

输出电容

C

OSS

反向传输电容

C

RSS

开关特性

t

D（上）

开启DelayTime

tr

上升时间

t

D（关闭）

关断DelayTime

tf

下降时间

Q

g

Q

gs

Q

gd

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

c

V

DS

=15V,V

GS

=0V

f=1.0MHz

V

DD

=15V

I

D

=1A

V

GS

=10V

R

根

= 6欧姆

V

DS

=15V,I

D

=15A,V

GS

=10V

V

DS

=15V,I

D

=15A,V

GS

=4.5V

V

DS

=15V,I

D

=15A,

V

GS

=10V

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

I

S

二极管的正向电压

b

V

SD

V

GS

=0V,I

S

=2.2A

0.8

2.2

1.3

A

V

笔记

_

a.Surface安装在FR4板， t<10秒。

_

_

b.Pulse测试：脉冲宽度< 300US ，职务Ctcle < 2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

d.Starting牛逼

J

=25

°

C,L=0.5mH,R

G

=25

,V

DD

=30V,V

GS

= 10V （见Figure13 ）

e.Package电流限制为20A 。

Aug,11,2008

2

www.samhop.com.tw

STU/D320S

版本1.0

40

V =

GS

10V

V = 5V

GS

4.

20

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

32

V =

GS

5V

V =

GS

4V

16

24

V = 5V

GS

3.

16

V =

GS

3V

12

8

TJ ？

125C

4

0

-55C

25C

8

0

0

0. 5

1

1. 5

2

2. 5

3

0

0. 7

1. 4

2. 1

2. 8

3. 5

4. 2

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

60

50

图2.传输特性

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.0

V

的s

=4.5V

I

D

=12.5A

V

的s

=10V

I

D

=15A

R

DS （ ON）

(m

)

40

30

20

10

1

V =

GS

10V

V = 5V

GS

4.

R

DS （ ON）

，导通电阻

归

1

8

16

24

32

40

0

25

50

75

100

125

150

T J （

°C )

I

D

，漏电流（ A）

TJ ，结温（ ° C）

图3.导通电阻与漏电流

与栅极电压

1.3

图4.导通电阻变化与漏

电流和温度

BVDSS ，归

漏源击穿电压

1.15

I

D

=

250uA

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

-25

0

25

50

75

V =

GS

DS

V

I

D

=

250uA

100

125

150

TJ ，结温（ ° C）

TJ ，结温（ ° C）

图5.门阈值变化

随温度

3

图6.击穿电压变化

随温度

Aug,11,2008

www.samhop.com.tw

STU/D320S

版本1.0

60

50

20. 0

是，源极 - 漏极电流（ A）

I

D

=

15A

10. 0

R

DS （ ON）

(m

)

40

75C

30

20

25C

10

0

125C

25C

125C

75C

0

2

4

6

8

10

1. 0

0. 4

0. 6

0. 8

1. 0

1. 2

1. 4

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图7.导通电阻与

栅源电压

600

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

10

V

GS

，门源电压（ V）

500

C，电容（pF ）

8

6

4

2

0

0

C

国际空间站

400

300

200

100

0

V

DS

=15V

I

D

=15A

SS

o

C

RSS

0

5

10

15

20

25

30

1

2

3

4

5

6

7

8

9

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

QG ，总栅极电荷（ NC）

图9.电容

图10.栅极电荷

600

500

I

D

，漏电流（ A）

切换时间（纳秒）

100

60

（F ）的TD

100

R

D

Tr

TD （上）

Tf

ON

S

(

im

)L

it

1m

10

0u

s

10

s

10

VD 15V ， I D 1A

S=

=

VG 10V

S=

10

V

的s

=10V

S英格尔P ulse

T

A

=25 C

1

DC

ms

1

1

6 10

60 100

300 600

1

0.1

10

30

100

RG ，栅极电阻（

)

V

DS

，漏源电压（V ）

图11.开关特性

图12.最大安全工作区

Aug,11,2008

4

www.samhop.com.tw

STU/D320S

版本1.0

15V

V

（ BR ）D S S小

tp

VDS

L

，D R IVE

RG

20V

.U .T

IA

S

tp

+

- VD

A

0.0 1

I

AS

非钳位感应测试电路

F igure 13A 。

非钳位感应波形

F igure 13B 。

2

1

D=0.5

归一化瞬时

热阻

0.2

0.1

0.1

P

DM

0.05

t

1

0.02

0.01

S荷兰国际集团乐P ULS ê

0.01

10

-5

-4

-3

-2

-1

t

2

1.

2.

3.

4.

10

10

10

R

J A

（吨） = R （t）的R *

J A

R

J A

= S EE资料中HEET

T

M-

T

A

= P

DM

* R

J A

(t)

值班 ycle ，D = T

1

/t

2

1

10

10

方波脉冲持续时间（秒）

图14.归瞬态热阻抗曲线

Aug,11,2008

5

www.samhop.com.tw

查看更多STD320SPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

STD320S

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

STD320S

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

查询更多STD320S供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！