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STD30PF03L
STD30PF03L-1
P沟道30V - 0.025Ω - 24A DPAK / IPAK
的STripFET II功率MOSFET
初步数据
TYPE
STD30PF03L
STD30PF03L-1
s
s
V
DSS
30 V
30 V
R
DS （ ON）
< 0.028Ω
< 0.028Ω
I
D
24 A
24 A
s
s
s
典型
DS （ ON）
= 0.025
标准大纲EASY
自动化表面贴装
低阈值DRIVE
低栅电荷
MERIT极低图
(R
DS （ ON）
* Q
g
)
3
1
2
1
3
DPAK
IPAK
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的晶体管
器显示了极高的堆积密度低
导通电阻和低栅极电荷。
内部原理图
s
应用
DC- DC转换器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(#)
I
D
(#)
I
DM
(
l
)
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
30
30
± 16
24
24
96
70
0.47
- 55 175
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
（＃）通过引线接合电流限定
注意：对于电压的P沟道MOSFET的实际极性和
电流具有被逆转
2002年5月
1/8
STD30PF03L - STD30PF03L - 1
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
j
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大工作结温
2.14
100
275
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
最大值
24
350
单位
A
mJ
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 16 V
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10 V，I
D
= 12 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 12 A
分钟。
1
0025
0.032
0.028
0.040
典型值。
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 12 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
23
1670
345
120
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/8
STD30PF03L - STD30PF03L - 1
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 24 V，I
D
= 24 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 15 V，I
D
= 24 A,
V
GS
= 5 V
分钟。
典型值。
64
122
18.5
5.5
11
25
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 24 V，I
D
= 24 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图3 ）
分钟。
典型值。
36
26
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 24 A，V
GS
= 0
I
SD
= 24 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 24 V ，T
j
= 150 °C
（见测试电路，图5 ）
40
52
2.6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
24
96
2.3
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3/8
STD30PF03L - STD30PF03L - 1
图。 1 ：
非钳位电感负载测试电路
图。 2 ：
非钳位感应波形
图。 3 ：
开关时间测试电路
阻性负载
图。 4 ：
栅极电荷测试电路
图。 5 ：
测试电路感应负载开关
和二极管恢复时间
4/8
STD30PF03L - STD30PF03L - 1
TO- 252 （ DPAK ）机械数据
mm
分钟。
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
H
L2
L4
V2
0.60
0
o
2.20
0.90
0.03
0.64
5.20
0.45
0.48
6.00
6.40
4.40
9.35
0.8
1.00
8
o
0.024
0
o
典型值。
马克斯。
2.40
1.10
0.23
0.90
5.40
0.60
0.60
6.20
6.60
4.60
10.10
分钟。
0.087
0.035
0.001
0.025
0.204
0.018
0.019
0.236
0.252
0.173
0.368
0.031
0.039
0
o
寸
典型值。
马克斯。
0.094
0.043
0.009
0.035
0.213
0.024
0.024
0.244
0.260
0.181
0.398
DIM 。
P032P_B
5/8
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SDTM-630-NTR
SC070S060A5B
SN75C3232DBRG4
SCE5786
SP7686A
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SII9030
SIR17-21C/TR8
SN54LS05J
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STTH810G-TR
SN74AS245NSR
SL1212003
SP7612AER6-L
SN65LBC173D
SED1374F0A
STPS5H100B-TR
SDR1005-222KL
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    STD30PF03L
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ST
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