STD30NF03L
STD30NF03L-1
N沟道30V - 0.020Ω - 30A - DPAK / IPAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD30NF03L-1
STD30NF03L
■
V
DSS
30V
30V
R
DS （ ON）
< 0.025Ω
< 0.025Ω
I
D
30A
30A
3
3
2
1
低阈值DRIVE
1
DPAK
IPAK
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD30NF03L-1
STD30NF03LT4
记号
D30NF03L
D30NF03L
包
IPAK
DPAK
包装
管
磁带&卷轴
2007年2月
REV 6
1/14
www.st.com
14
目录
STD30NF03L - STD30NF03L - 1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STD30NF03L - STD30NF03L - 1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D(1)
I
D
I
DM(2)
P
合计
E
的AS （3）
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
-65 175
马克斯。工作结温
°C
价值
30
30
± 20
30
19
120
50
0.27
100
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 15A V
DD
= 15V
表2中。
RthJ -PCB
Rthj - AMB
Rthj散热器
T
J
热数据
热阻结到PCB最大
热阻结到环境最大
热电阻的情况下，最大下沉
最大无铅焊接温度的目的
3.0
100
1.5
275
° C / W
° C / W
° C / W
°C
3/14
电气特性
STD30NF03L - STD30NF03L - 1
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 15A
1
1.7
0.020
0.028
分钟。
30
1
10
±100
2.5
0.025
0.035
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 15A
分钟。
典型值。
13
830
230
92
35
205
90
240
18
7
8
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 15V ，我
D
= 20A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
（见
图12）
V
DD
= 24V ，我
D
= 30A,
V
GS
= 5V ，R
G
= 4.7
（见
图13）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
4/14
STD30NF03L - STD30NF03L - 1
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 30A ，V
GS
= 0
65
72
2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
240
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 40A ，的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 15V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流（见
图14）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/14
QQ：2880707522 复制
