STD30NE06
N - CHANNEL 60V - 0.025
- 30A - DPAK
的STripFET "功率MOSFET
初步数据
TYPE
STD30NE06
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
R
DS ( ON)
< 0.03
I
D
30 A
s
典型
DS ( ON)
= 0.025
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
低栅电荷100
o
C
面向应用
表征
对于磁带&卷轴和其他
包装选择联系销售
办公室
3
1
DPAK
TO-252
(后缀"T4" )
描述
这是功率MOSFET的最新发展
SGS - THOMSON独有"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整,因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
大电流,高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制,音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
T
英镑
T
j
1998年7月
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
60
60
±
20
30
21
120
55
0.37
7
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤20
A, di / dt的
≤
300 A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / C
V / ns的
o
o
o
C
C
1/5
( )脉冲宽度有限的安全工作区
STD30NE06
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