STP2NK90Z - STD2NK90Z
STD2NK90Z-1
N沟道900V - 5Ω - 2.1A TO- 220 / DPAK / IPAK
齐纳保护的超网 MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STD2NK90Z
STD2NK90Z-1
STP2NK90Z
s
s
s
s
s
s
s
图1 ：包装
I
D
2.1 A
2.1 A
2.1 A
Pw
70 W
70 W
70 W
3
1
V
DSS
900 V
900 V
900 V
R
DS （ ON）
< 6.5
< 6.5
< 6.5
典型
DS
（上）= 5
DV dt能力极高/
改进的ESD能力
100 ％额定雪崩
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
TO-220
DPAK
3
2
1
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
stripbased的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被照顾，以确保一个很好的dv / dt能力
为要求最苛刻的应用程序。这种系列
补充ST全系列高电压MOSFET导
场效应管，包括革命性的MDmesh 产品。
IPAK
图2 ：内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
表2 ：订购代码
销售类型
STD2NK90ZT4
STD2NK90Z-1
STP2NK90Z
记号
D2NK90Z
D2NK90Z
P2NK90Z
包
DPAK
IPAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
第2版
2004年10月
1/13
STP2NK90Z - STD2NK90Z - STD2NK90Z - 1
表3 ：绝对最大额定值
符号
参数
STP2NK90Z
价值
STD2NK90Z
STD2NK90Z-1
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
900
900
± 30
2.1
1.3
8.4
70
0.56
2000
4.5
-55到150
-55到150
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤2.1A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
表4 ：热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.78
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
表5：雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
2.1
150
单位
A
mJ
表6 ：门源齐纳二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/13
STP2NK90Z - STD2NK90Z - STD2NK90Z - 1
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表7 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （上
参数
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.05 A
3
3.75
5
分钟。
900
1
50
± 10
4.5
6.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表8 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ
(3)
.
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
2.3
485
50
10
24
21
11
43
40
19.5
3.4
10.8
27
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
正向跨导V
DS
= 15 V，I
D
= 1.05 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0720 V
V
DD
= 450 V，I
D
= 1 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图19）
V
DD
= 720 V，I
D
= 2 A,
V
GS
= 10 V
（参见图22）
表9 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 2.1 A，V
GS
= 0
I
SD
= 2 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50V
（参见图20）
I
SD
= 2 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50V ，T
j
= 150°C
（参见图20）
415
1.5
7.2
515
1.9
7.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
2.1
8.4
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
（ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
(3) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
3/13
STP2NK90Z - STD2NK90Z - STD2NK90Z - 1
图3 ：安全工作区TO- 220
图6 ：热阻抗TO- 220
图4 ：安全工作区DPAK / IPAK
图7 ：热阻抗为DPAK / IPAK
图5：输出特性
图8 ：传输特性
4/13
STP2NK90Z - STD2NK90Z - STD2NK90Z - 1
图9 ：跨导
图12 ：静态漏源导通电阻
图10 ：栅极电荷VS栅源电压
图13 ：电容变化
图11 ：归栅极阈值电压
与温度
图14 ：归在电阻与温
perature
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STP2NK90Z - STD2NK90Z
STD2NK90Z-1
N沟道900V - 5Ω - 2.1A - TO- 220 / DPAK / IPAK
齐纳保护的超网 MOSFET
一般特点
TYPE
STD2NK90Z
STD2NK90Z-1
STP2NK90Z
■
■
■
■
■
■
V
DSS
R
DS （ ON）
（ @Tjmax ）
900V
900V
900V
<6.5
<6.5
<6.5
I
D
2.1A
2.1A
2.1A
P
W
70W
70W
70W
TO-220
3
1
2
3
1
DPAK
DV dt能力极高/
改进的ESD能力
100 ％额定雪崩
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错的重复性制造
IPAK
2
1
3
内部原理图
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
stripbased的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压的MOSFET包括革命
的MDmesh 产品。
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD2NK90ZT4
STD2NK90Z-1
STP2NK90Z
记号
D2NK90Z
D2NK90Z
P2NK90Z
包
DPAK
IPAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
2006年7月
转4
1/18
www.st.com
18
目录
STP2NK90Z - STD2NK90Z - STD2NK90Z - 1
目录
1
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
1.1
的栅极 - 源极的齐纳二极管的保护功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
电特性（曲线）
............................ 7
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
STP2NK90Z - STD2NK90Z - STD2NK90Z - 1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
参数
价值
STP2NK90Z
STD2NK90Z
STD2NK90Z-1
900
900
± 30
2.1
1.3
8.4
70
0.56
2000
4.5
-55到150
-55到150
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
°C
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
V
ESD （G -S ）
dv / dt的
(2)
T
j
T
英镑
2.
门源ESD（ HBM -C = 100pF的，
R=1.5K)
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
1.脉冲宽度有限的安全工作区
I
SD
≤
2.1A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
表2中。
符号
热数据
参数
价值
1.78
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB热阻结到环境的最大
T
l
最大无铅焊接温度的目的
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
价值
2.1
150
单位
A
mJ
3/18
电气额定值
STP2NK90Z - STD2NK90Z - STD2NK90Z - 1
表4 。
符号
BV
GSO
门源稳压二极管
参数
栅源击穿电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。马克斯。单位
V
1.1
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
该器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
这可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
4/18
STP2NK90Z - STD2NK90Z - STD2NK90Z - 1
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （上
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
试验性条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.05 A
3
3.75
5
分钟。
900
1
50
± 10
4.5
6.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
(2)
EQ 。
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
试验性条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 1.05 A
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
2.3
485
50
10
24
19.5
3.4
10.8
27
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0720 V
V
DD
= 720 V，I
D
= 2 A,
V
GS
= 10 V
（参见图22）
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
inceases从0到80 ％的V
DSS
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
试验性条件
V
DD
= 450 V，I
D
= 1 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图19）
分钟。
典型值。
21
11
43
40
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
5/18
QQ：2881677436 复制
