STD2NC40-1
N沟道400V - 4.7Ω - 1.5A IPAK
的PowerMESH II MOSFET
TYPE
STD2NC40-1
s
s
s
s
s
V
DSS
400V
R
DS ( ON)
<5.5
I
D
1.5A
典型
DS
(上) = 4.7Ω
DV dt能力极高/
100%的雪崩测试
新的高压BENCHMARK
栅极电荷最小化
3
2
1
描述
的的PowerMESH
II是第一的演变
代MESH叠加
.
在重新布局
finements引入大大提高了罗恩*区
品质因数,同时保持设备的铅
荷兰国际集团边缘的东西涉及具有结构转换的速度,门
充电和耐用性。
IPAK
(SUFFIX“-1”)
内部原理图
应用
s
SWITH模式节能用品
( SMPS)的
s
CFL
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
s
)
P
合计
dv / dt的
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
400
400
±30
1.5
0.95
6
30
0.24
4.5
-60至150
150
(1)I
SD
≤1.5A,
的di / dt
≤100A/s,
V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
°C
°C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
2000年5月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
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STD2NC40-1
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 200V ,我
D
= 0.7A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 320V , ID = 1.5A ,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
7.5
12
6.1
2.1
2.4
8.2
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试康迪特离子
V
DD
= 320V ,我
D
= 1.5A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
20
27
29
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 1.5A ,V
GS
= 0
I
SD
= 1.5A ,的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 100V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
180
625
5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
6
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8