【STD2NB80N - CHANNEL 800V - 4.6- 1.9A - IPAK / DPA】,IC型号STD2NB80T4,STD2NB80T4 PDF资料,STD2NB80T4经销商,ic,电子元器件-51电子网

STD2NB80

N - CHANNEL 800V - 4.6

- 1.9A - IPAK / DPAK

的PowerMESH MOSFET

TYPE

ST D2NB80

DSS

800 V

DS （ ON）

< 6.5

1.9 A

典型

DS （ ON）

= 4.6

DV dt能力极高/

100％的雪崩测试

非常低的固有电容

栅极电荷最小化

加后缀“ T4 ”如需订购在磁带

& REEL （ 2500个单位）

IPAK

TO-251

（后缀“-1” ）

描述

采用了最新的高电压MESH OVERLAY

过程中，意法半导体设计了一个

功率MOSFET具有先进的家庭

出色的表现。新专利

未决带布局再加上公司的

专有的边缘终端结构，给出了

低R

DS （ ON）

单位面积，出色的雪崩

和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷

和开关特性。

应用

开关模式电源（ SMPS ）

DC -AC转换器，用于焊接

设备和不间断

电源和电机驱动器

DPAK

TO-252

（后缀“ T4 ” ）

内部原理图

绝对最大额定值

符号

DGR

()

合计

参数

漏源电压（V

= 0)

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k

)

摹吃 - 源极电压

漏电流（连续）在T

= 25 C

漏电流（连续）在T

= 100 C

漏电流（脉冲）

牛逼otal耗散在T

= 25 C

降额因子

的dv / dt （

)

s TG

峰值二极管恢复电压斜率

储存温度

马克斯。工作结温

价值

800

1.9

1.2

7.6

0.44

4.5

-65到150

150

(

) I

≤

图2A中， di / dt的

≤

200 A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

， TJ

≤

JMAX

取消它

W /

V / ns的

1/9

（）脉冲宽度有限的安全工作区

1999年1月

STD2NB80

热数据

THJ -case

Rthj -amb

THC-汇

热阻结案件

最大

热阻结到环境

最大

热阻案例散热器

典型值

最大无铅焊接温度的目的

2.27

100

275

C / W

摄氏度/ W

C / W

雪崩特性

Symbo升

参数

雪崩电流，重复或不重复

（脉冲宽度限制T

MAX ）

单脉冲雪崩能量

（起始物为

= 25℃ ，我

= I

, V

= 50 V)

最大VALU ê

1.9

176

单位

电气特性

例

= 25

C除非另有说明）

关闭

Symbo升

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

测试刀豆ditions

= 250

= 0

分钟。

800

100

牛逼YP 。

马克斯。

单位

=最大额定值

零加速度吃的电压

漏电流（V

= 0) V

=最大额定值

门体漏

电流（V

= 0)

30 V

= 125 C

开（ *）

Symbo升

GS （ TH）

DS （ ON）

D（ 0：N ）

参数

栅极阈值

电压

= V

测试刀豆ditions

= 250

=1.3 A

1.9

分钟。

牛逼YP 。

4.6

马克斯。

6.5

单位

静态漏源0：N V

= 10V

阻力

论国有漏电流V

＆ GT ;我

D（ 0：N ）

个R

DS （ ON）马X

= 10 V

动态

Symbo升

F小号

()

国际空间站

OS s

RSS

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

倒T转让（BOT）

电容

测试刀豆ditions

＆ GT ;我

D（ 0：N ）

个R

DS （ ON）马X

= 25 V

F = 1 MHz的

= 1.3 A

= 0

分钟。

牛逼YP 。

440

马克斯。

单位

2/9

STD2NB80

电气特性

（续）

接通

Symbo升

D（上）

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试刀豆ditions

= 400 V I

= 1.5 A

= 10 V

= 4.7

（见测试电路，图3 ）

= 640 V

= 3 A V

= 10 V

分钟。

牛逼YP 。

6.5

7.5

马克斯。

单位

关闭

Symbo升

R（ Voff时）

参数

关闭电压上升时间

下降时间

交叉时间

测试刀豆ditions

= 640 V I

= 3 A

= 4.7

= 10 V

（见测试电路，图5 ）

分钟。

牛逼YP 。

马克斯。

单位

源漏二极管

Symbo升

SDM

()

RRM

参数

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

反向恢复

时间

反向恢复

收费

反向恢复

当前

= 1.9 A

= 0

650

2.8

8.5

= 2.6的di / dt = 100 A /

= 150

= 100 V

（见测试电路，图5 ）

测试刀豆ditions

分钟。

牛逼YP 。

马克斯。

1.9

7.6

1.6

单位

（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300

占空比1.5 ％

（）脉冲宽度有限的安全工作区

安全工作区

热阻抗

3/9

STD2NB80

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

4/9

STD2NB80

归栅极阈值电压VS

温度

归一通电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

5/9

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