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STD2NB50
STD2NB50-1
N沟道500V - 5Ω - 1A DPAK / IPAK
的PowerMESH MOSFET
TYPE
STD2NB50
STD2NB50-1
s
s
s
s
V
DSS
500V
500V
R
DS （ ON）
< 6Ω
< 6Ω
I
D
1A
1A
典型
DS
（上）= 5
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
加后缀“ T4 ” ，供订购在磁带&
REEL
3
1
DPAK
IPAK
1
3
2
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中，意法半导体设计了一个AD-
vanced系列功率MOSFET具有突出的
表演。新申请专利带布局
再加上公司的proprieraty边缘termi-
国家结构，给出每面积的最低的RDS（on ） ，
呈雪崩和dv / dt的能力和
无与伦比的栅极电荷和开关特性
抽动。
应用
s
SWITH模式电源（ SMPS ）
s
照明工业及消费
环境
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
dv/dt(1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
500
500
± 30
1
0.63
4
40
0.32
3.5
-65到150
150
(1)I
SD
≤1A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
°C
1/10
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2001年9月
STD2NB50/STD2NB50-1
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
3.125
100
275
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
1
40
单位
A
mJ
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±30V
分钟。
500
1
50
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 A
分钟。
2.3
典型值。
3
5
马克斯。
3.7
6
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 0.5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
0.75
185
35
4
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/10
STD2NB50/STD2NB50-1
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 200V ，我
D
= 0.5A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 4000V ，我
D
= 1A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
20
24
7
2.5
3.5
10
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 400V ，我
D
= 1 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
20
24
30
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 1A ，V
GS
= 0
I
SD
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
330
780
4.7
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1
4
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/10
STD2NB50/STD2NB50-1
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/10
STD2NB50/STD2NB50-1
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/10
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