S amHop微电子 ORP 。
S T U / D2240NL
十一月22,2004
NC hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
40V
F ê乌尔（E S）
( m
W
）最大
I
D
10A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
35@ V
的s
= 10V
60@ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
TO- 252和TO- 251 P ackage 。
D
D
G
S
G
D
S
G
S TU性S E IE S
TO- 252AA （D -P AK ）
的TD性S E IE S
的TO- 251 （1- P AK）的
S
AB公司的OL UTE最大R ATINGS
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous @助教
-P ulsed
b
a
(T
A
= 25℃ unles s otherwis 说明）
S ymbol
V
DS
V
GS
极限
40
20
10
8.3
40
15
50
35
-55至175
W
C
单位
V
V
A
A
A
A
25 C
70 C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
TA = 25℃
TA = 70℃
工作结点和S torage
温度法兰
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到C的酶
热 esistance ，结到环境
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
S T U / D2240NL
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 15A
最小典型最大单位
1
1.3
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
a
笔记
a.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
20
V
的s
=5V
16
15
20
-55 C
I
D
，排水光凭目前 （A ）
V
的s
=10,9,8,7,6V
12
V
的s
=4V
I
D
，排水光凭目前 （A ）
10
T J = 125℃
25 C
8
4
0
V
的s
=3V
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
4.8
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
1800
1.6
F igure 2.跨FER haracteris抽动
R
DS （ ON）
，在-R es是tance
归
1500
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-55
V
的s
=10V
I
D
=10A
C，C apacitance （PF ）
1200
900
600
300
OS s
0
RS s
0
5
10
15
20
25
30
C为S
-25
0
25
50
75
100 125
T J （ C）
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
3
S T U / D2240NL
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
ID=250uA
6
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
18
V
DS
=10V
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
g
F小号
，T失败者电导（ S）
是，S环境允许的漏电流（ A）
15
12
9
6
3
0
0
5
10
15
20
10.0
1.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
10
I
D
，排水光凭目前 （A ）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
60
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
8
6
4
2
0
0
V
DS
=20V
I
D
=10A
10
R
DS
(
上）
L IM我
t
10m
s
10
1s
0m
s
11
DC
0.1
0.03
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
50 60
3
6
9
12
15
18
21 24
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
4
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
S T U / D2240NL
V
DD
t
on
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
INVE TE
6
S
V
IN
50%
10%
50%
P ULS e×宽度
F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit
F igure 12 S魔力波形
10
归一化瞬时
热阻
1
0.5
0.2
0.1
P
DM
t
1
on
0.1
0.05
0.02
0.01
1.
2.
3.
4.
t
2
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.00001
R
THJ一
（吨） = R （t）的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗曲线
5
QQ：2881677436 复制
