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首字符S的型号第731页
> STD20NF10
N沟道100V - 0.038
- 25A IPAK / DPAK
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STD20NF10
s
s
s
STD20NF10
V
DSS
100 V
R
DS ( ON)
<0.045
I
D
25 A(*)
s
s
典型
DS
(上) = 0.038
DV dt能力EXCEPTIONAL /
面向应用
表征
通孔IPAK ( TO- 251 )电源
包装管内(后缀“ -1" )
表面安装DPAK ( TO- 252 )
电源包装在磁带& REEL
(后缀“ T4" )
3
2
1
IPAK
TO-251
(后缀“-1” )
DPAK
TO-252
(后缀“ T4 ” )
3
1
描述
这实现了与意法半导体MOSFET系列产品
独特的STripFET进程专门设计
以减少输入电容和栅极电荷。这是
因此适合作为先进的高初级开关
效率,高频隔离型DC- DC转换器
电信和计算机应用。它也意
与低栅极驱动要求的任何应用程序。
内部原理图
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(*)
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS (2)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
100
100
± 20
25
21
100
85
0.57
20
300
-55至175
(1) I
SD
≤25A,
的di / dt
≤300A/s,
V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX
( 2 )起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= 10 A,V
DD
= 27V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
( * )电流限制通过包装
2002年10月
.
1/9
STD20NF10
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
典型值
1.76
100
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
分钟。
100
1
10
±1
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
I
GSS
ON
(1)
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
I
D
= 250 A
I
D
= 15 A
分钟。
2
典型值。
3
0.038
马克斯。
4
0.045
单位
V
动态
符号
g
飞秒(*)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15 V
I
D
= 15 A
分钟。
典型值。
10
1200
180
80
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
= 0
2/9
STD20NF10
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 15 A
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(阻性负载,图3 )
V
DD
= 80 V I
D
= 30 A V
GS
=10 V
分钟。
典型值。
15
40
40
8
15
55
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 15 A
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
(阻性负载,图3 )
分钟。
典型值。
45
10
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM (
)
V
SD (*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
1.5 %.
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
120
单位
A
A
V
ns
C
A
I
SD
= 20 A
V
GS
= 0
110
390
7.5
1.3
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 30 A
V
DD
= 55 V
T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
(*)
脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比
(
)脉冲
宽度由安全工作区的限制。
安全工作区
热阻抗
3/9
STD20NF10
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/9
STD20NF10
归栅极阈值电压与温度
归
在电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压温度
.
.
5/9
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STD20NF10
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