STD1NK60 - STD1NK60-1
STQ1HNK60R - STN1HNK60
N沟道600V - 8Ω - 1A DPAK / TO- 92 / IPAK / SOT- 223
超网 MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STD1NK60
STD1NK60-1
STQ1HNK60R
STN1HNK60
s
s
s
s
s
s
图1 ：包装
I
D
1A
1A
0.4 A
0.4 A
Pw
30 W
30 W
3W
3.3 W
V
DSS
600
600
600
600
V
V
V
V
R
DS （ ON）
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
8.5
8.5
8.5
8.5
3
1
典型
DS
（上）= 8
DV dt能力极高/
ESD能力的改进
100％的雪崩测试
新的高压BENCHMARK
栅极电荷最小化
TO- 92 （ Ammopack ）
DPAK
2
3
2
1
1
2
3
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被照顾，以确保一个很好的dv / dt能力
为要求最苛刻的应用程序。这种系列
补充ST全系列高电压MOSFET导
场效应管，包括革命性的MDmesh 产品。
SOT-223
IPAK
图2 ：内部原理图
应用
s
低功耗的电池充电器
s
SWITH模式低功耗
用品（ SMPS ）
s
低功耗，镇流器， CFL （紧凑型
荧光灯）
表2 ：订购代码
产品型号
STD1NK60T4
STD1NK60-1
STQ1HNK60R
STQ1HNK60R-AP
STN1HNK60
记号
D1NK60
D1NK60
1HNK60R
1HNK60R
1HNK60
包
DPAK
IPAK
TO-92
TO-92
SOT-223
包装
磁带&卷轴
管
体积
AMMOPAK
磁带&卷轴
第2版
2004年11月
1/15
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R - STN1HNK60
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
T
j
T
英镑
参数
DPAK / IPAK
价值
TO-92
SOT-223
单位
V
V
V
0.4
0.25
1.6
3.3
0.025
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
1.0
0.63
4
30
0.24
600
600
± 30
0.4
0.25
1.6
3
0.025
3
-55到150
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤1.0A,
的di / dt
≤100A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
表4 ：热数据
DPAK / IPAK
Rthj情况
Rthj - AMB
Rthj铅
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻结铅最大
最大无铅焊接温度的
用途
4.16
100
--
275
TO-92
--
120
40
260
SOT-223
--
37.87 (#)
--
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
（＃）当安装在FR-4板1
2
， 2盎司铜，T < 10秒
表5：雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
1
25
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表6 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 A
2.25
3
8
分钟。
600
1
50
±100
3.7
8.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
2/15
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R - STN1HNK60
电气特性（续）
表7 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 0.5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
1
156
23.5
3.8
6.5
5
19
25
7
1.1
3.7
10
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 300 V，I
D
= 0.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图
21)
V
DD
= 480V ，我
D
= 1 A,
V
GS
= 10V ，R
G
= 4.7
（参见图23 ）
表8 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 1.0 A，V
GS
= 0
I
SD
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 25V ，T
j
= 25°C
（见测试电路，图22 ）
I
SD
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 25V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图22 ）
140
240
3.3
229
377
3.3
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1
4
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
（ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
3/15
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R - STN1HNK60
图3：
.
安全工作区SOT- 223
图6 ：热阻抗为SOT- 223
图4 ：安全工作区DPAK / IPAK
图7 ：热阻抗为DPAK / IPAK
图5 ：安全工作区TO- 92
图8 ：热阻抗对于TO- 92
4/15
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R - STN1HNK60
图9 ：输出特性
图12 ：传输特性
图10：跨导
图13 ：栅极电荷VS栅源电压
图11 ：电容变化
图14 ：静态漏源导通电阻
5/15
STD1NK60 - STD1NK60-1
STQ1HNK60R
N沟道600V - 8Ω - 1A的DPAK / IPAK / TO- 92
超网功率MOSFET
TYPE
STD1NK60
STD1NK60-1
STQ1HNK60R
s
s
s
s
s
V
DSS
600 V
600 V
600 V
R
DS （ ON）
< 8.5
< 8.5
< 8.5
I
D
1A
1A
0.4 A
Pw
30 W
30 W
3W
1
3
2
3
1
典型
DS
（上）= 8
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
新的高压BENCHMARK
IPAK
DPAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
TO- 92 （ Ammopack ）
TO-92
内部原理图
应用
开关模式节能用品
（ SMPS）的
s
低功耗，低成本的CFL （紧凑型
荧光灯）
s
低功耗的电池充电器
s
订购信息
销售类型
STD1NK60T4
STD1NK60-1
STQ1HNK60R
STQ1HNK60R-AP
记号
D1NK60
D1NK60
1HNK60R
1HNK60R
包
DPAK
IPAK
TO-92
TO-92
包装
磁带&卷轴
管
体积
AMMOPAK
2003年6月
1/13
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R
绝对最大额定值
符号
参数
STD1NK60
STD1NK60-1
价值
STQ1HNK60R
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
1.0
0.63
4
30
0.24
600
600
± 30
0.4
0.25
1.6
3
0.025
3
-55到150
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤1.0A,
的di / dt
≤100A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
热数据
DPAK / IPAK
Rthj情况
Rthj - AMB
Rthj铅
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻结铅最大
最大无铅焊接温度的
用途
275
4.16
100
120
40
260
TO-92
° C / W
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
DPAK / IPAK
1
25
TO-92
A
mJ
单位
2/13
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 A
2.25
3
8
分钟。
600
1
50
±100
3.7
8.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 0.5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
1
156
23.5
3.8
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 0.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 1.0 A,
V
GS
= 10V ，R
G
= 4.7
分钟。
典型值。
6.5
5
7
1.1
3.4
10
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 0.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 1.0 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
19
25
24
25
44
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 1.0 A，V
GS
= 0
I
SD
= 1.0 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 25V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
229
377
3.3
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1
4
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3/13
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R
安全工作区DPAK / IPAK
对于DPAK / IPAK热阻
安全工作区TO- 92
热阻抗对于TO- 92
输出特性
传输特性
4/13
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
5/13
STD1NK60 - STD1NK60-1
STQ1HNK60R - STN1HNK60
N沟道600V - 8Ω - 1A DPAK / TO- 92 / IPAK / SOT- 223
超网 MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STD1NK60
STD1NK60-1
STQ1HNK60R
STN1HNK60
■
■
■
■
■
■
图1 ：包装
I
D
1A
1A
0.4 A
0.4 A
Pw
30 W
30 W
3W
3.3 W
V
DSS
600
600
600
600
V
V
V
V
R
DS （ ON）
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
8.5
8.5
8.5
8.5
3
1
典型
DS
（上）= 8
DV dt能力极高/
ESD能力的改进
100％的雪崩测试
新的高压BENCHMARK
栅极电荷最小化
TO- 92 （ Ammopack ）
DPAK
2
3
2
1
1
2
3
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被照顾，以确保一个很好的dv / dt能力
为要求最苛刻的应用程序。这种系列
补充ST全系列高电压MOSFET导
场效应管，包括革命性的MDmesh 产品。
SOT-223
IPAK
图2 ：内部原理图
应用
■
低功耗的电池充电器
■
SWITH模式低功耗
用品（ SMPS ）
■
低功耗，镇流器， CFL （紧凑型
荧光灯）
表2 ：订购代码
产品型号
STD1NK60T4
STD1NK60-1
STQ1HNK60R
STQ1HNK60R-AP
STN1HNK60
记号
D1NK60
D1NK60
1HNK60R
1HNK60R
N1HNK60
包
DPAK
IPAK
TO-92
TO-92
SOT-223
包装
磁带&卷轴
管
体积
AMMOPAK
磁带&卷轴
第3版
2006年2月
1/15
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R - STN1HNK60
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
T
j
T
英镑
参数
DPAK / IPAK
价值
TO-92
SOT-223
单位
V
V
V
0.4
0.25
1.6
3.3
0.025
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
1.0
0.63
4
30
0.24
600
600
± 30
0.4
0.25
1.6
3
0.025
3
-55到150
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤1.0A,
的di / dt
≤100A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
表4 ：热数据
DPAK / IPAK
Rthj情况
Rthj - AMB
Rthj铅
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻结铅最大
最大无铅焊接温度的
用途
4.16
100
--
275
TO-92
--
120
40
260
SOT-223
--
37.87 (#)
--
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
（＃）当安装在FR-4板1
2
， 2盎司铜，T < 10秒
表5：雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
1
25
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表6 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 A
2.25
3
8
分钟。
600
1
50
±100
3.7
8.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
2/15
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R - STN1HNK60
电气特性（续）
表7 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 0.5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
1
156
23.5
3.8
6.5
5
19
25
7
1.1
3.7
10
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 300 V，I
D
= 0.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图
21)
V
DD
= 480V ，我
D
= 1 A,
V
GS
= 10V ，R
G
= 4.7
（参见图23 ）
表8 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 1.0 A，V
GS
= 0
I
SD
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 25V ，T
j
= 25°C
（见测试电路，图22 ）
I
SD
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 25V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图22 ）
140
240
3.3
229
377
3.3
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1
4
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
（ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
3/15
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R - STN1HNK60
图3：
.
安全工作区SOT- 223
图6 ：热阻抗为SOT- 223
图4 ：安全工作区DPAK / IPAK
图7 ：热阻抗为DPAK / IPAK
图5 ：安全工作区TO- 92
图8 ：热阻抗对于TO- 92
4/15
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R - STN1HNK60
图9 ：输出特性
图12 ：传输特性
图10：跨导
图13 ：栅极电荷VS栅源电压
图11 ：电容变化
图14 ：静态漏源导通电阻
5/15
STD1NK60 - STD1NK60-1
STQ1HNK60R
N沟道600V - 8Ω - 1A的DPAK / IPAK / TO- 92
超网功率MOSFET
TYPE
STD1NK60
STD1NK60-1
STQ1HNK60R
s
s
s
s
s
V
DSS
600 V
600 V
600 V
R
DS （ ON）
< 8.5
< 8.5
< 8.5
I
D
1A
1A
0.4 A
Pw
30 W
30 W
3W
1
3
2
3
1
典型
DS
（上）= 8
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
新的高压BENCHMARK
IPAK
DPAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
TO- 92 （ Ammopack ）
TO-92
内部原理图
应用
开关模式节能用品
（ SMPS）的
s
低功耗，低成本的CFL （紧凑型
荧光灯）
s
低功耗的电池充电器
s
订购信息
销售类型
STD1NK60T4
STD1NK60-1
STQ1HNK60R
STQ1HNK60R-AP
记号
D1NK60
D1NK60
1HNK60R
1HNK60R
包
DPAK
IPAK
TO-92
TO-92
包装
磁带&卷轴
管
体积
AMMOPAK
2003年6月
1/13
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R
绝对最大额定值
符号
参数
STD1NK60
STD1NK60-1
价值
STQ1HNK60R
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
1.0
0.63
4
30
0.24
600
600
± 30
0.4
0.25
1.6
3
0.025
3
-55到150
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤1.0A,
的di / dt
≤100A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
热数据
DPAK / IPAK
Rthj情况
Rthj - AMB
Rthj铅
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻结铅最大
最大无铅焊接温度的
用途
275
4.16
100
120
40
260
TO-92
° C / W
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
DPAK / IPAK
1
25
TO-92
A
mJ
单位
2/13
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 A
2.25
3
8
分钟。
600
1
50
±100
3.7
8.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 0.5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
1
156
23.5
3.8
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 0.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 1.0 A,
V
GS
= 10V ，R
G
= 4.7
分钟。
典型值。
6.5
5
7
1.1
3.4
10
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 0.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 1.0 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
19
25
24
25
44
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 1.0 A，V
GS
= 0
I
SD
= 1.0 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 25V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
229
377
3.3
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1
4
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3/13
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R
安全工作区DPAK / IPAK
对于DPAK / IPAK热阻
安全工作区TO- 92
热阻抗对于TO- 92
输出特性
传输特性
4/13
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
5/13
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