STD1NB80-1
N - CHANNEL 800V - 16Ω - 1A - IPAK
的PowerMESH MOSFET
初步数据
TYPE
STD1NB80-1
s
s
s
s
s
V
DSS
800 V
R
DS ( ON)
& LT ; 20
I
D
1A
典型
DS ( ON)
= 16
DV dt能力极高/
100%的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
3
2
1
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中,意法半导体设计了一个
功率MOSFET具有先进的家庭
出色的表现。新专利
未决带布局再加上公司的
专有的边缘终端结构,给出了
低R
DS ( ON)
单位面积,出色的雪崩
和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷
和开关特性。
应用
s
开关模式电源( SMPS )
s
AC转接器和电池充电器
为手持设备提供
IPAK
TO-251
(后缀"-1" )
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
的dv / dt (
1
)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
800
800
±
30
1
0.63
4
50
0.4
4.5
-65到150
150
(
1
) I
SD
≤ 1Α,
的di / dt
≤
200 A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, TJ
≤
T
JMAX
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V / ns的
o
o
C
C
1/5
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1998年9月
STD1NB80-1
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 400 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 640 V
I
D
= 0.5A
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.1 V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
8
10
10
5
4
马克斯。
12
14
14
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 640 V I
D
= 1.1 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
40
15
50
马克斯。
56
21
70
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 1 A
V
GS
= 0
460
1150
5
I
SD
= 1.1的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
T
j
= 150
o
C
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1
4
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
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STD1NB80-1
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