N沟道60V - 0.038
- 19A IPAK / DPAK
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STD19NE06L
s
s
s
s
STD19NE06L
V
DSS
60 V
R
DS ( ON)
<0.05
I
D
19 A
s
典型
DS
(上) = 0.038
100%的雪崩测试
低栅电荷
通孔IPAK ( TO- 251 )电源
包装管内(后缀“ -1” )
表面安装DPAK ( TO- 252 )
电源包装在磁带& REEL
(后缀“ T4 ” )
3
2
1
3
1
DPAK
TO-252
(后缀“ T4 ” )
IPAK
TO-251
(后缀“-1” )
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特的“单一特征尺寸 ”带钢
基于过程。由此产生的晶体管显示了极高
高的堆积密度低的导通电阻,坚固
雪崩特性和不太重要的调整
步骤
因此
a
卓越
制造业
重现。
内部原理图
应用
s
大电流,高开关速度
s
电磁铁和RALAY DRIVERS
s
电机控制,音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
E
的AS (1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
60
60
±
20
19
13
76
70
0.3
450
-55至175
( 1 )起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= 9.5 A,V
DD
= 35 V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
mJ
°C
()
脉冲宽度限制主编由安全工作区
2002年9月
.
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