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STB18N65M5 ， STD18N65M5
N沟道650 V， 0.198
Ω
（典型值） ， 15 A的MDmesh V功率MOSFET
在DPAK和DPAK封装
数据表 - 生产数据
特点
订购代码
STB18N65M5
STD18N65M5
■
■
■
■
V
DSS
@
T
JMAX
710 V
R
DS （ ON）
最大
< 0.22
Ω
I
D
15 A
TAB
TAB
2
3
1
2
3
1
在全球最佳R
DS （ ON）
*区
较高的V
DSS
评级和高dv / dt能力
出色的开关性能
100％的雪崩测试
图1 。
D
2
PAK
DPAK
应用
■
内部原理图
切换应用程序
描述
这些设备是N沟道的MDmesh V
基于创新的功率MOSFET
专有的垂直处理技术，该技术是
结合意法半导体的知名
的PowerMESH 水平布局结构。该
所得产品具有极低的导通
电阻，这是其中硅无与伦比
基于功率MOSFET ，使其特别
适合应用需要卓越
功率密度和效率出众。
表1中。
设备简介
记号
18N65M5
包
D
2
PAK
磁带和卷轴
DPAK
包装
订购代码
STB18N65M5
STD18N65M5
2012年7月
这是在满负荷生产一个产品信息。
文档编号023446版本1
1/18
www.st.com
18
目录
STB18N65M5 ， STD18N65M5
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
文档编号023446版本1
STB18N65M5 ， STD18N65M5
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
dv / dt的
(1)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
D
2
PAK
± 25
15
9.4
60
110
15
- 55 150
150
单位
DPAK
V
A
A
A
W
V / ns的
°C
°C
1. I
SD
≤
15 A ， di / dt的
≤
400 A / μs的; V
DSpeak
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
, V
DD
= 400 V
表3中。
符号
热数据
价值
参数
D
2
PAK
1.14
30
50
单位
DPAK
° C / W
° C / W
R
THJ情况
热阻结案件最大
R
thj-pcb(1)
热阻结到PCB最大
1.当安装在1英寸2 FR- 4 ， 2盎司纯铜电路板。
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流的repetetive与否的repetetive
（脉冲宽度限制T
JMAX
)
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AR
; V
DD
=50 V)
价值
4
210
单位
A
mJ
文档编号023446版本1
3/18
电气特性
STB18N65M5 ， STD18N65M5
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
650
1
100
± 100
3
4
0.198
5
0.22
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
Ω
零栅极电压
V
DS
= 650 V
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
= 650 V，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 25 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源导通
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
阻力
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
(1)
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
当量
电容时间
相关
当量
电容能源
相关
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 0 520 V ，V
GS
= 0
-
30
-
pF
测试条件
分钟。
典型值。
1240
32
3.2
马克斯。
单位
pF
pF
pF
V
DS
= 100 V，F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
C
O（ TR ）
-
99
-
pF
C
o(er)(2)
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 520 V，I
D
= 7.5 A,
V
GS
= 10 V
（见
图18）
-
3
31
8
14
-
Ω
nC
nC
nC
-
-
1.时间有关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当
V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
2.能源有关的被定义为一个常数等效电容给出相同存储的能量为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/18
文档编号023446版本1
STB18N65M5 ， STD18N65M5
电气特性
表7中。
符号
t
D（ V）
t
R（ V）
t
F（ I）中
t
C（ OFF）
开关时间
参数
电压延迟时间
电压上升时间
电流下降时间
穿越时间
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 9.5 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（见
图19
和
图22）
分钟。
典型值。
36
7
9
11
最大
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 15 A，V
GS
= 0
I
SD
= 15 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V（见
图22）
I
SD
= 15 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150 °C
（见
图22）
测试条件
分钟。
-
-
-
290
3.4
23.5
352
4
24
典型值。
MAX 。 UNIT
15
60
1.5
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档编号023446版本1
5/18
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    STD18N65M5
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    -
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ST(意法)
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