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STD1802

低压快速开关NPN功率晶体管

特点

■

■

■

■

收藏家非常低发射极饱和电压

高电流增益特性

快速开关速度

表面安装DPAK （ TO- 252 ）电源

包带&卷轴（后缀“ T4 ）

3

1

TO-252

DPAK

（后缀“ T4 ” ）

描述

该装置在平面技术制造的

与“基地岛”的布局。由此产生的晶体管

显示了卓越的高增益性能

再加上非常低的饱和电压。

应用

■

■

■

■

图1 。

内部原理图

CCFL驱动程序

稳压器

继电器驱动器

高效率，低电压，开关

应用

表1中。

设备简介

记号

D1802

包

DPAK

包装

磁带&卷轴

订货编号

STD1802T4

2007年7月

转4

1/10

www.st.com

10

电气额定值

STD1802

1

电气额定值

表2中。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

英镑

T

J

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压（I

E

=0)

集电极 - 发射极电压（I

B

=0)

发射极 - 基极电压（I

C

=0)

集电极电流

集电极电流峰值（T

P

<为5ms ）

基极电流

总功耗在T

c

≤

25°C

储存温度

马克斯。工作结温

价值

80

60

6

3

6

1

15

-65到150

150

单位

V

V

V

A

A

A

W

°C

°C

表3中。

符号

R

THJ情况

热数据

参数

热阻结案件

__max

价值

8.33

单位

° C / W

2/10

STD1802

电气特性

2

电气特性

(T

例

= 25 ° C除非另有规定编）

表4 。

符号

I

CBO

I

EBO

电气特性

参数

集电极截止电流

(I

E

=0)

发射极截止电流

(I

C

=0)

集电极 - 基

击穿电压

(I

E

= 0)

集电极 - 发射极

击穿电压

(I

B

= 0)

发射极 - 基极击穿

电压（I

C

= 0)

集电极 - 发射极

饱和电压

基射极饱和

电压

直流电流增益

跃迁频率

集电极 - 基

电容

阻性负载

开启时间

贮存时间

下降时间

测试条件

V

CB

= 40V

V

EB

= 4V

分钟。

典型值。

马克斯。

0.1

0.1

单位

A

A

V

（ BR ） CBO

I

C

=100A

80

V

V

（ BR ） CEO

I

C

=1mA

60

V

V

（ BR ） EBO

V

CE （饱和）（1）

V

BE （饱和）（1）

h

FE （1）

f

T

C

CBO

I

E

=100A

I

C

=2A

I

C

=3A

I

C

=2A

_ _

I

B

=100mA

__ _

I

B

=150mA

_ _

I

B

=100mA

V

CE

=2V

V

CE

=2V

I

C

=50mA

F = 1MHz的

6

150

200

0.9

200

100

150

50

300

400

1.2

400

V

mV

mV

V

I

C

=100mA

I

C

=3A

V

CE

=10V

V

CB

=10V

兆赫

pF

t

ON

t

s

t

f

I

C

=1A

V

CC

=30V

50

1.35

120

ns

s

ns

I

B1

=-I

B2

=0.1A

注（1）脉冲持续时间= 300

s,

占空比

≤1.5%

3/10

电气特性

STD1802

2.1

电特性（曲线）

图2中。

降额曲线

网络连接gure 3 。

直流电流增益

图4中。

集电极 - 发射极饱和

电压

图5中。

集电极 - 发射极饱和

电压

图6 。

基射极饱和

电压

图7 。

基射极电压上

4/10

STD1802

网络连接gure 8 。

开关时间阻

负载

图9 。

电气特性

开关时间阻

负载

图10.开关时间阻

负载

图11.开关时间电感

负载

图12.开关时间阻

负载

5/10

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21+

16500

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