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STD17N05
STD17N06
N - 沟道增强型
功率MOS晶体管
TYPE
STD17N05
STD17N06
s
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
50 V
60 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.085
＆ LT ; 0.085
I
D
17 A
17 A
s
s
典型
DS （ ON）
= 0.06
雪崩坚固的技术
100％的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低栅电荷
高电流能力
175
o
C的工作温度
面向应用
表征
通孔IPAK （ TO- 251 ）电源
包装管内（后缀“ -1” ）
表面安装DPAK （ TO- 252 ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀“ T4 ” ）
3
1
IPAK
TO-251
（后缀“-1” ）
2
1
DPAK
TO-252
3
（后缀“ T4 ” ）
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
稳压器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电机控制，音频放大器
s
汽车环境（注射，
ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）
绝对最大额定值
符号
参数
STD17N05
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25 C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
STD17N06
60
60
±
20
17
12
68
55
0.37
-65 175
175
单位
50
50
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1996年12月
1/10
STD17N05/STD17N06
热数据
R
THJ - CAS é
R
thj- AMB
R
吨HC-罪
T
l
热阻结案件
最大
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
2.73
100
1.5
275
o
o
C / W
C / W
o
C / W
o
C
雪崩特性
符号
I
A R
E
AS
E
AR
I
A R
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
D D
= 25 V)
重复性雪崩能量
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
雪崩电流，重复或不重复
(T
c
= 100
o
C，脉冲宽度为T的限制
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
最大值
17
60
15
12
单位
A
mJ
mJ
A
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
的s
= 0
为
STD17N05
为
STD17N06
T
c
= 125 C
o
分钟。
50
60
典型值。
马克斯。
单位
V
V
I
DS S
I
摹SS
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值×0.8
门体漏
电流（V
S
= 0)
V
GS
=
±
20 V
1
10
±
100
A
A
nA
开（ *）
符号
V
的s （次）
R
DS （ ON）
I
D（上）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10 V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 8.5 A
17
分钟。
2
典型值。
2.9
0.06
马克斯。
4
0.085
单位
V
A
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
S（上）最大
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
S（上）最大
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 8.5 A
V
的s
= 0
分钟。
5
典型值。
8
600
250
80
800
350
120
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/10
STD17N05/STD17N06
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
DD
= 30 V
I
D
= 8.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 50
（见测试电路图）
V
DD
= 40 V
I
D
= 17 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 50
（见测试电路图）
V
DD
= 40 V
I
D
= 17 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
20
120
250
马克斯。
30
170
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
22
8
8
30
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ VOF F）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 40 V
I
D
= 17 A
V
GS
= 10 V
R
GS
= 50
（见测试电路图）
分钟。
典型值。
60
60
120
马克斯。
90
90
180
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
S.D。
I
SDM
()
V
S.D。
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 17 A
I
SD
= 17 A
V
DD
= 30 V
V
的s
= 0
的di / dt = 100 A / μs的
T
j
= 150
o
C
65
0.13
4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
17
68
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/10
STD17N05/STD17N06
降额曲线
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
4/10
STD17N05/STD17N06
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
导通电流斜率
关断漏源电压斜率
交叉时间
5/10
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SN74LVC2G240YEAR
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SMG2305A
SMD2920P200TS
S-8233AOFE-TB
SI5920DC-T1-E3
S7AH-03H330
SM6451A
ST2L05R1833PT
SY10EL1189ZI
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封装
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    STD17N06
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STD17N06
ST
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