STD16NF06
N沟道60V - 0.060Ω - 16A - DPAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD16NF06
■
■
■
■
V
DSS
60V
R
DS （ ON）
<0.070
I
D
16A
3
1
DPAK
TO-252
典型
DS （ ON）
= 0.060
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用的表征
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低
导通电阻，崎岖雪崩特征
因此，问题不大的调整步骤
卓越的可重复性制造
内部原理图
应用
■
■
■
音频放大器
电动工具
汽车环境
订购代码
产品型号
STD16NF06T4
2006年1月
记号
D16NF06
包
TO-252
包装
磁带&卷轴
REV 1
1/11
www.st.com
11
2电气特性
STD16NF06
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
注4
V
SD
注5
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8A
V
GS
= 0
49
78
3.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
16
64
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
I
SD
= 16A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ，T
J
=150°C
图15第7页
注：1设定的限制通过引线接合
2 Garanted当外部RG = 4.7
和T
f
＆ LT ;吨
FMAX
.
3起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= 19A ，V
DD
= 18V
4脉冲宽度有限的安全工作区
5脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/11
STD16NF06
N沟道60V - 0.060Ω - 16A - DPAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD16NF06
■
■
■
■
V
DSS
60V
R
DS （ ON）
<0.070
I
D
16A
3
1
DPAK
TO-252
典型
DS （ ON）
= 0.060
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用的表征
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低
导通电阻，崎岖雪崩特征
因此，问题不大的调整步骤
卓越的可重复性制造
内部原理图
应用
■
■
■
音频放大器
电动工具
汽车环境
订购代码
产品型号
STD16NF06T4
2006年1月
记号
D16NF06
包
TO-252
包装
磁带&卷轴
REV 1
1/11
www.st.com
11
2电气特性
STD16NF06
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
注4
V
SD
注5
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8A
V
GS
= 0
49
78
3.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
16
64
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
I
SD
= 16A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ，T
J
=150°C
图15第7页
注：1设定的限制通过引线接合
2 Garanted当外部RG = 4.7
和T
f
＆ LT ;吨
FMAX
.
3起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= 19A ，V
DD
= 18V
4脉冲宽度有限的安全工作区
5脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/11
STD16NF06L
STD16NF06L-1
N沟道60V - 0.060Ω - 24A - DPAK / IPAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD16NF06L-1
STD16NF06L
■
■
V
DSS
60V
60V
R
DS （ ON）
<0.070
<0.070
I
D
24A
24A
2
1
3
1
3
逻辑电平器件
低阈值DRIVE
IPAK
DPAK
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD16NF06L-1
STD16NF06LT4
记号
D16NF06L
D16NF06L
包
IPAK
DPAK
包装
管
磁带&卷轴
2007年2月
第5版
1/14
www.st.com
14
目录
STD16NF06L - STD16NF06L - 1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STD16NF06L - STD16NF06L - 1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
dv / dt的
(2)
E
的AS （3）
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复雪崩能量
单脉冲雪崩能量
储存温度
-55至175
马克斯。工作结温
°C
价值
60
60
± 18
24
17
96
40
0.27
11.5
200
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2. I
SD
≤
图16A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
=V(
BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
3.起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 20A ，V
DD
= 48V
表2中。
Rthj情况
RthJ -PCB
T
J
热数据
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
最大无铅焊接温度的目的
(1)
3.75
62
300
° C / W
° C / W
°C
1.当安装在1平方英寸的FR- 4电路板， 2盎司铜。
3/14
电气特性
STD16NF06L - STD16NF06L - 1
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 18V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 8A
V
GS
= 5V ，我
D
= 8A
1
0.060
0.070
0.070
0.085
分钟。
60
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
= 12A
分钟。
典型值。
12
370
69
30
12
30
20
6
7.5
2.5
4.2
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 30V ，我
D
= 8A
R
G
= 4.7 V
GS
= 5V
（见
图13）
V
DD
= 30V ，我
D
= 8A,
V
GS
= 5V ，R
G
= 4.7
（见
图14）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
4/14
STD16NF06L - STD16NF06L - 1
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 16A ，V
GS
= 0
53
85
3.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
16
64
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 16A ，的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 25V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流（见
图15）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/14
N沟道60V - 0.060
- 24A DPAK / IPAK
的STripFET II功率MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STD16NF06L
■
■
■
STD16NF06L
图1 ：包装
R
DS （ ON）
< 0.070
I
D
24 A
V
DSS
60 V
■
典型
DS
（上） = 0.060
逻辑电平器件
通孔IPAK （ TO- 251 ）电源
包装管内（后缀“ -1" ）
表面安装DPAK （ TO- 252 ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀“ T4" ）
3
2
1
IPAK
TO-251
（后缀“-1” ）
DPAK
TO-252
（后缀“ T4 ” ）
3
1
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的可重复性制造
应用
■
切换应用程序
图2 ：内部原理图
表2：
订购代码
销售类型
STD16NF06LT4
STD16NF06L-1
记号
D16NF06L
D16NF06L
包
TO-252
TO-251
包装
磁带&卷轴
管
表3：
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
60
60
± 18
24
17
96
40
0.27
11.5
200
-55至175
(1) I
SD
≤16A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 20A ，V
DD
= 48V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2005年3月
启示录
3.0
1/11
QQ：2880707522 复制
