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STD16NE10
N - CHANNEL 100V - 0.07Ω - 16A - IPAK / DPAK
的STripFET MOSFET
TYPE
ST D16NE10
s
s
s
s
s
V
DSS
100 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.1
I
D
16 A
s
s
典型
DS （ ON）
= 0.07
DV dt能力EXCEPTIONAL /
雪崩坚固的技术
100％的雪崩测试
面向应用
表征
通过量，孔IPAK （ TO- 251 ）电源
包装管内（后缀“ -1” ）
表面安装DPAK （ TO- 252 ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀“ T4 ” ）
3
2
1
1
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
SGS - THOMSON独有的“单一特征尺寸 ”
条形基础process.The导致晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
直流电机控制（磁盘驱动程序等）。
s
的DC-DC &直流ACCONVERTERS
s
同步整流
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25 C
降额F演员
的dv / dt （
1
)
T
英镑
T
j
1998年7月
峰值二极管恢复电压斜率
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像结温
o
o
IPAK
TO-251
（后缀“-1” ）
DPAK
TO-252
（后缀“ T4 ” ）
内部原理图
价值
100
100
±
20
16
11
64
50
0.33
7
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
16 A ， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V / ns的
o
o
C
C
1/9
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
STD16NE10
热数据
R
吨HJ -CA SE
Rthj -amb
R
thc- SI NK
T
l
热阻结案件
最大
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
3.0
100
1.5
275
C / W
摄氏度/ W
o
C / W
o
C
o
雪崩特性
SYMB OL
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
DD
= 30 V)
最大VALU ê
16
75
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
SYMB OL
V
（ BR ） DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
测试电导率银行足球比赛s
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
100
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
取消它
V
A
A
nA
零加速度吃的电压
V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
o
C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
I
GSS
开（ *）
SYMB OL
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（ 0：N ）
参数
栅极阈值
电压
V
DS
= V
GS
测试电导率银行足球比赛s
I
D
= 250
A
I
D
= 8 A
16
分钟。
2
典型值。
3
0.07
马克斯。
4
0.1
取消它
V
A
静态漏源V
GS
= 10V
阻力
论国有漏电流V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON） MAX
V
GS
= 10 V
动态
SYMB OL
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
倒T转让（BOT）
电容
测试电导率银行足球比赛s
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON） MAX
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=8 A
V
GS
= 0
分钟。
5
1600
180
50
2100
250
70
典型值。
马克斯。
取消它
S
pF
pF
pF
2/9
STD16NE10
电气特性
（续）
接通
SYMB OL
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 50 V
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
R
G
=4.7
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 80 V
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
17
37
38
10
12
马克斯。
23
50
50
取消它
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
SYMB OL
t
R（ VOF F）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 80 V I
D
= 20 A
R
G
=4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
11
18
32
马克斯。
15
25
44
取消它
ns
ns
ns
源漏二极管
SYMB OL
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 16 A
V
GS
= 0
110
440
8
测试电导率银行足球比赛s
分钟。
典型值。
马克斯。
16
64
1.5
取消它
A
A
V
ns
C
A
的di / dt = 100 A / μs的
I
SD
= 20 A
o
T
j
= 150 C
V
DD
= 50 V
（见测试电路，图5 ）
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/9
STD16NE10
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/9
STD16NE10
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/9
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