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STD16NE06
N - CHANNEL 60V - 0.07Ω - 16A DPAK / IPAK
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STD16NE06
s
s
s
s
V
DSS
60 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.085
I
D
16 A
s
s
典型
DS （ ON）
= 0.07
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
通过量，孔IPAK （ TO- 251 ）电源
包装管内（后缀“ -1” ）
表面安装DPAK （ TO- 252 ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀“ T4 ” ）
3
2
1
1
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“的STripFET ”带状钡
SED process.The导致晶体管显示extre-
的mely高的堆积密度低的导通电阻，
坚固耐用的雪崩特性，并不太重要
因此，调整的步骤一个了不起的制造
图灵的重现性。
应用
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制，音频放大器
s
DC- DC转换器
s
汽车环境
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
T
s TG
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
摹吃 - 源极电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25 C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
IPAK
TO-251
（后缀“-1” ）
DPAK
TO-252
（后缀“ T4 ” ）
内部原理图
价值
60
60
±
20
16
11
64
40
0.26
7
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
16 A ， di / dt的
≤
300 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2000年2月
1/9
STD16NE06
热数据
R
THJ -case
Rthj -amb
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
最大
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大的铅温度F或焊接用途
3.75
100
1.5
275
C / W
摄氏度/ W
o
C / W
o
C
o
雪崩特性
Symbo升
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
DD
= 35 V)
最大值
16
60
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
Symbo升
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
60
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125 C
o
开（ *）
Symbo升
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（ 0：N ）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
I
D
= 8 A
16
分钟。
2
典型值。
3
0.07
马克斯。
4
0.085
单位
V
A
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
GS
= 10 V
动态
Symbo升
g
F小号
()
C
国际空间站
C
OS s
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试刀豆ditions
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=8 A
V
GS
= 0
分钟。
5
典型值。
9
900
125
35
1200
170
50
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STD16NE06
电气特性
（续）
接通
Symbo升
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总摹吃费
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试刀豆ditions
V
DD
= 30 V
I
D
= 10 A
R
G
=4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 48 V
I
D
= 16 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
20
45
25
9.7
6.2
马克斯。
30
60
35
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升牛逼IME
秋季牛逼IME
交叉时间
测试刀豆ditions
V
DD
= 48 V I
D
= 10 A
R
G
=4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
8
25
38
马克斯。
11
34
50
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
()
V
SD
(
)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 16 A
V
GS
= 0
50
115
4.5
I
SD
= 16 A
的di / dt = 100 A /
s
o
T
j
= 150 C
V
DD
= 30 V
（见测试电路，图5 ）
测试刀豆ditions
分钟。
典型值。
马克斯。
16
64
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
(
）脉冲：脉冲宽度= 300
S，占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/9
STD16NE06
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/9
STD16NE06
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/9
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