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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第19页 > STD130
STD/SDT130
晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
TYPE
V
RSM
V
帝斯曼
V
STD/SDT130GK08
900
STD/SDT130GK12
1300
STD/SDT130GK14
1500
STD/SDT130GK16
1700
STD/SDT130GK18
1900
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
1800
符号
I
真有效值
, I
疲劳风险管理
T
VJ
=T
VJM
I
TAVM
, I
FAVM
T
C
=85
o
C; 180
o
正弦
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
F = 50Hz的，T
p
=200us
V
D
=2/3V
DRM
I
G
=0.5A
di
G
/dt=0.5A/us
测试条件
最大额定值
300
130
单位
A
I
TSM
, I
FSM
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
重复的，我
T
=500A
5500
5850
4800
5100
151000
142000
115000
108000
150
A
i
2
dt
A
2
s
（ di / dt的）
cr
A /美
非重复性的，我
T
=500A
500
1000
120
60
8
10
-40...+125
125
-40...+125
V /美
W
W
V
o
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
T
VJ
=T
VJM
;
V
DR
=2/3V
DRM
R
GK
= ;方法1 （线性电压升高）
T
VJ
=T
VJM
I
T
=I
TAVM
t
p
=30us
t
p
=500us
C
50 / 60赫兹， RMS
_
I
ISOL
<1mA
t=1min
t=1s
3000
3600
2.25-2.75/20-25
4.5-5.5/40-48
125
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩（ M6 ）
终端连接扭矩（ M6 ）
典型的包括螺钉
STD/SDT130
晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块
符号
测试条件
特征值
10
1.36
0.8
1.5
V
D
=6V;
V
D
=6V;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
V
D
=2/3V
DRM
2.5
2.6
150
200
0.2
10
T
VJ
=25
o
℃;吨
p
= 30US ; V
D
=6V
I
G
= 0.5A ;迪
G
/dt=0.5A/us
T
VJ
=25
o
℃; V
D
= 6V ;
GK
=
T
VJ
=25
o
℃; V
D
=1/2V
DRM
I
G
= 0.5A ;迪
G
/dt=0.5A/us
T
VJ
=T
VJM
; I
T
= 160A ;牛逼
p
= 200us的; -di / DT = 10A /美
V
R
= 100V ;的dv / dt = 20V / us的; V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=T
VJM
; I
T
, I
F
= 300A ; -di / DT = 50A /美
典型值。
300
200
2
150
550
235
每个晶闸管/二极管;直流电流
每个模块
每个晶闸管/二极管;直流电流
每个模块
匍匐于地面的距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
0.23
0.115
0.33
0.165
12.7
9.6
50
单位
mA
V
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
uC
A
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
I
RRM
, I
DRM
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
; V
D
=V
DRM
V
T
, V
F
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
I
T
, I
F
= 300A ;吨
VJ
=25
o
C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
=125
o
C)
特点
*国际标准套餐
*铜底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
应用
*电机控制
*电源转换器
*热和温度控制。
工业窑炉和化工
过程的
*照明控制
*非接触式开关
优势
*空间和减轻重量
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
STD/SDT130
晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块
4000
I
TSM
A
3000
50赫兹
80 % V
RRM
T
VJ
= 45°C
T
VJ
= 125°C
2000
10
5
T
VJ
= 45°C
T
VJ
= 125°C
1000
i
2
t
A
2
s
10
6
0
0.001
10
4
0.01
0.1
s
t
1
1
1
t
ms
0
图。 1浪涌过载电流
I
TSM
, I
FSM
：峰值，T ：时间
图。 2我
2
吨随时间的变化（1-10毫秒）
图。图2a最大正向电流
在外壳温度
图。 3功耗与通态电流和环境温度
（每晶闸管或二极管）
图。 4门极触发特性
3× STD / SDT130
图。 5三相整流桥：功耗与直接输出电流
和环境温度
图。 6门极触发延迟时间
STD/SDT130
晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块
图。 7三相交流控制器：
功耗与RMS
输出电流和环境
温度
3× STD / SDT130
图。 8瞬态热阻抗
结到外壳（每晶闸管或
二极管）
R
thJC
各种导通角D：
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
（K / W）
0.230
0.244
0.255
0.283
0.321
常量Z的
thJC
计算方法：
i
1
2
3
R
THI
（K / W）
0.0095
0.0175
0.203
t
i
(s)
0.001
0.065
0.4
图。 9瞬态热阻抗
结到散热器（每晶闸管
或二极管）
R
thJK
各种导通角D：
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJK
（K / W）
0.330
0.344
0.355
0.383
0.421
常量Z的
thJK
计算方法：
i
1
2
3
4
R
THI
（K / W）
0.0095
0.0175
0.203
0.1
t
i
(s)
0.001
0.065
0.4
1.29
STD130
S MSUNG
电子
STD130标准单元
0.18微米系统级芯片ASIC
2000年12月， V2.0
特点
- L
EFF
= 0.15um ，L
DRAWN
= 0.18
- 最多23万门
- 功耗： 24nW / MHz的
3.3/5.0V
- 门延迟： 48ps @ 1.8V ， 1SL
设备
- 1.8 / 2.5 / 3.3V驱动器和3.3 / 5V容限I / O
- 可编译SRAM两种不同的应用
- 1.8V和3.3V ADC ， DAC和PLL
- ARM920T / ARM940T ，的TeakLite /柚木
1.8/2.5/3.3V
设备
1.8/2.5/3.3V
1.8/2.5/3.3V
接口
3.3 / 5.0V CMOS /
TTL
3.3/5.0V
宽容
AGP
AGP总线
描述
STD130是三星ASIC库之一，
它由标准单元产品imple-
mented在0.18微米技术。 STD130利用
具有金属4 ，互连金属的6层5
并为产品6层的选项。 STD130是
不同的应用程序特定网络连接C数字和模拟IP
对于系统级芯片（ SOC）的应用程序。三星
提供全方位的产品解决
生产超低功耗和高挑战
即采取SOC的优势密度器件英特
格雷申。
STD130从而减少功耗和
通过合并逻辑和IP地址作为一个系统成本
整和内部的逻辑连接
存储器数据总线，非常适合高性能
产品如硬盘，网络和显示。
STD130支持高达23万门数
逻辑提供了80％的可用门。门延迟
30％的比STD110 ， 0.25微米库的速度更快。
逻辑和编译的存储密度是respec-
tively 2.6倍和3计时器致密比那些
STD110.
STD130还支持全面的用户-CON连接的可配置
编译的存储器元件，例如高密度
和低功耗应用。每个元素都是亲
vided作为编译器。对于大容量内存
在SoC设计解决方案，可修复
包含冗余方案内存亲
vided作为编译器。
在STD130家庭提供各种各样的IP地址
INCLUDING
- 处理器内核：
ARM7T / ARM9T / 940T / 920T来自ARM ，
从DSPG的TeakLite /柚木
- 回忆
编译SRAM两种不同的应用
化和修SRAM冗余。
- 模拟核：
ADC ， DAC ， PLL ， RAMDAC
- IO的IP
三星的设计方法，提供了一个compre-
hensive时序驱动设计溢流，包括自动
配合的时间预算，紧FL oorplan合成
集成，功能强大的时序分析和时序
驱动布局。其先进的特性溢流
提供精确的定时数据和健壮延迟
对于0.18微米非常深亚微米技模型
术。静态VERI音响阳离子的方法，例如静
时序分析和正式的等价性验证
提供有效VERI网络阳离子方法
各种模拟器。三星DFT methodol-
术支持扫描设计， BIST和JTAG bound-
元扫描。三星提供了一套完整的测试 -
准备好IP地址与英法fi cient核心集成测试
方法论。
三星ASIC
V
V
STD130
(1.8V)
SSTL2
PECL
HSTL
高速
器件
模拟核
模拟接口
PCI
PCI -X
热插拔PCI
PCI总线
USB
USB总线
1
S MSUNG
电子
三星ASIC宏
模拟核
内存编译器
超低电压模拟核： 1.8V
高分辨率模拟核： 3.3V
类似物
磁芯
电源电压
位
3.3V± 5%
8
ADC
10
12
10
DAC
12
- 125MHz的
-
- 250kHz的
- 10MHz的
-
- 为2MHz
- 300MHz的
- 8K 11KHZ
(2.5V)
-
- 80MHz的
-
1.8V± 5%
- 250kHz的
- 30MHz的
-
编解码器
PLL
数字内核
应用
硬宏
- ARM7TDMI
- ARM9TDMI
- ARM940T
- ARM920T
- 的TeakLite
- 柚木
软宏
CPU内核
DSP内核
接口
磁芯
通信
核化
解码器
2
V
V
STD130
完全可编译应用程序特定网络连接SRAM
高密度（HD）和低功率（LP）的
单端口（ 1RW ，1R ） ，双端口（ 2RW ）
multi-port(1R1W~2R2W)
免税循环和零持有时间
同步
位可写功能
2银行架构
高达1M位的大容量SRAM修
具有冗余
名字
具有此
相容性
HD
SPSRAM
SPSRAMBW
O
O
O
O
O
O
O
O
LP
O
O
X
O
O
O
O
X
- 单端口同步
静态RAM
- 高达512K位
- SPSRAM有位写
- 高达512K位
- SPSRAM与冗余
- 高达1M位
- 双端口静态同步
内存
- 高达256K位
- DPSRAM有位写
- 高达256K位
- 单端口异步
静态RAM
- 高达512K位
- SPARAM有位写
- 高达512K位
- 同步扩散亲
可编程ROM
- 高达512K位
- 同步金属-2亲
可编程ROM
- 高达512K位
- 多端口异步
注册文件RAM
- 1至2个写端口， 1至2个读
端口
- 高达16K位
- 同步先入先出
内存
- 高达64K位
- 同步内容
可寻址存储器
- 高达32K位
描述
14
- 25 300MHz的（ FS ）
- 100 500MHz的（ FS ）
- 为200MHz （ SSCG ）
SPSRAMR
DPSRAM
DPSRAMBW
SPARAM
SPARAMBW
DROM
AMBA ， AHB包装
-
USB1.1 ， USB2.0 ，红外线
UART(16C450,16C550)
IEEE1284,
P1394a LINK
10/100以太网MAC
RS解码器，
维特比解码器
MROM
O
X
-
ARFRAM
-
O
X
-
FIFO
O
X
CAM
O
X
X：不支持
三星ASIC
STD130
I / O和I / O的IP地址
1.8V ， 2.5V和3.3V驱动器的I / O ， 3.3V和5V
宽容的I / O
3电平（高，中，无）压摆率控制
最小的引线键合焊垫间距
- 单一的线（ 70um ）的I / O
- 交错（ 35 / 70um ）的I / O
驱动能力
- 1,2,4,8,12,16,20,24mA （驱动器的I / O ）
- 1,2,4,6mA （对于宽容的I / O ）
I / O IP地址
名字
PCI
USB
SSTL2
ATA
AGP
PECL
描述
2.1标准，可承受5V
1.1兼容，全速/
低速
I类和II ，SDRAM
接口
ATA4 / UDMA66 ， 3.3 / 5V
宽容
AGP2.0标准
ATM接口
1.5V ， SRAM接口，
可编程输出
阻抗控制
1V预充电， VIO预
收费
1.0兼容， 3.3V
66@1X,133@2X,
266@4X
200(single)
500(differential)
300
频率（MHz）
33, 66
12/1.5
高达200
S MSUNG
电子
ASIC设计套件和EDA支持
设计流程
逻辑
合成
设计套件
Synopsys设计编译器，
Synopsys的物理编译器
Cadence公司的Verilog -XL ， Cadence的NC- Verilog的，
逻辑
Viewlogic系ViewSim ，导师ModelSim-
模拟
VHDL ，导师的ModelSim - Verilog的，
新思VSS ，新思VCS
扫描插入新思TestGen ，新思TestCom-
和ATPG
堆垛机，新思TetraMax ，导师FASTSCAN
静态时序
Synopsys公司的PrimeTime
分析
RC分析
前卫！星-RC
动力
分析
正式
VERI科幻阳离子
故障
模拟
延迟
计算器
楼层计划
P&R
DRC和LVS
*
内部工具
新思DesignPower ， CubicPower *
Synopsys的形式，蚕蛹设计
VERIFYer ， Verplex巩固炫-LEC
Cadence的Verifault
CubicDelay *
前卫！ PlanetPL ， Cadence公司DesignPlanner ，
CubicPlan *
前卫！阿波罗， Cadence的硅集成
德古拉，大力士，口径
HSTL
热
SWAP
PCI
PCI -X
33, 66
133
推荐工作条件
包装可用性
参数
1.8V的I / O
2.5V的I / O
DC电源
电压
V
DD
3.3V的I / O
3.3V宽容的I / O
5V容限I / O
3.3V核心
模拟核
DC电源
2.5V核心
电压
1.8V核心
商业级温度范围
T
A
工业温度范围
*如果你想要这个范围内，请
接触科幻场应用工程
名义有效汇率的三星。
等级
1.65 1.95
2.3 2.7
3.0 3.6
1.65 1.95
3.0 3.6
3.3V± 5%
2.5V± 5%
1.8V± 5%
0到70
°C
V
单位
套餐类型
QFP
薄QFP
电源QFP
塑料有引线
芯片载体
塑料BGA
超级BGA
平BGA
多芯片
包
＃针脚
256,208,176,160,144,128,100,80,64,48
100,80
304,240,208,160,144,128,120,100
84,68,52,44,32,28,18
560,492,388,352,329,316,313,304,300,
292,272,256,225,208,196,153,119
696,648,540,352,304,256
280,256,208,196,180,160,153,144,119,
64,48
256,100,69,68,64,48,32
- 40-85
三星ASIC
V
V
3
S MSUNG
电子
三星ASIC全球
SSI
三星半导体股份有限公司
85 W. TASMAN DR 。 ，圣何塞，
CA95134-1713 ， U.S.A.
电话
(1)-408-544-4545
传真
(1)-408-544-4950
SSINE
三星半导体公司东北
利特尔顿路238号，套装201
州Westford ， MA 01886 ， U.S.A.
电话
(1)-978-392-2271
传真
(1)-978-392-2240
SWTC
西南技术中心
7700尔湾中心传动600套房
欧文， CA 92618 USA
电话
(1)-949-753-7530
传真
(1)-714-236-9664
SSEG
三星半导体欧洲公司
ASIC设计中心，代表网络连接CE慕尼黑Carl-
蔡司环9 ， 85737伊斯曼宁
电话
(49)-89-9697-7117
传真
(49)-89-9697-7126
SSEL
三星半导体欧洲公司
西部大房子，大西路
布伦特福德，米德尔塞克斯TW8 9DQ
电话
(44)-181-380-7115
传真
(44)-181-380-7095
SEJA
三星电子日本株式会社ASIC中心
浜町中心大厦16楼31-1 ， Nihonbashi-
浜町2丁目，周- ku，东京103 ，日本
电话
(81)-3-5641-9850(8488)
传真
(81)-3-5641-9851
CoAsia
COASIA微电子有限公司
Rm.2510 ， 25 FL 。 ，国际贸易
大厦。 333 ，基隆路1段
台北，台湾。 R.O.C
电话
(886)-2-8780-2968
传真
(886)-2-8780-2966
联交所
三星电子香港有限公司
31 FL OOR ，中心，
99皇后大道，港湾道18号，
地址为香港湾仔
电话
(852)-2-862-6959
传真
(852)-2-886-1343
COMSOC
通信协会科技私人有限公司， 31国际商务
公园， ＃ 04-06创意资源
新加坡609921
电话
(65)-425-2212
传真
(65)-425-2022
C&S
海州大厦。 6 FL 。 ，论岘洞，江南区，首尔，
韩国
TEL(02)-515-4468
FAX(02)-515-4469
ECT
JoonSung大厦。 4 FL 。 ， 698-30 Yeuksam洞， Gangnam-
顾，汉城
TEL(02)-569-1960
FAX(02)-569-2388
达尔文技术
Osuk大厦。 6 FL 。 ， 276-6 Yangje洞，瑞草区，首尔，
韩国
TEL(02)-529-2826
FAX(02)-529-2827
VersaChips
宝蓝大厦。 6 FL 。 ， 288-2 Yangje洞，瑞草区，首尔，
韩国
TEL(02)-572-0756
FAX(02)-571-3857
三星电子有限公司
圣＃ 24 ， Nongseo - Ree的，器兴邑，
龙仁市，京畿道，韩国
电话： 82-2-760-6500 ， 6501
传真： 82-331-209-4920
http://www.intl.samsungsemi.com
2000三星电子有限公司
所有公司和产品名称均为
其各自所有者的注册商标。
印在了韩国。
4
V
V
STD130
三星ASIC
修订历史（基于硬拷贝） 。
- 第一版（ V1.0 ） ： 2001年6月
第1章：引言（ V1.0 ）
第2章：直流电气特性（ V1.1 ）
第3章：内部宏单元（ V2.1 ）
第4章：输入/输出单元格（ V2.1 ）
第5章：编译宏单元（ V3.1 ）
第6章： PLL （ V1.1 ）
附录A ：模拟术语（ V1.1 ）
附录B ：计时（ V1.0 ）
附录C ：最大扇出（ V1.0 ）
附录D ：包装能力（ V1.0 ）
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