STD12NF06L
STD12NF06L-1
N沟道60V - 0.08Ω - 12A - DPAK - IPAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD12NF06L
STD12NF06L-1
■
■
V
DSSS
60V
60V
R
DS （ ON）
<0.1
<0.1
I
D
12A
12A
1
3
2
1
3
DV dt能力EXCEPTIONAL /
低栅电荷
DPAK
IPAK
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD12NF06LT4
STD12NF06L-1
记号
D12NF06L
D12NF06L
包
DPAK
IPAK
包装
磁带&卷轴
管
2007年2月
REV 6
1/14
www.st.com
14
目录
STD12NF06L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
电气特性
STD12NF06L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 25毫安，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 6A
V
GS
= 5V ，我
D
= 6A
1
0.08
0.10
分钟。
60
1
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
±100
2
0.10
0.12
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25V
,
I
D
= 6A
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
7
350
75
30
7.5
2.5
3.0
10
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DD
= 48V ，我
D
= 12A
V
GS
= 5V
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 30V ，我
D
= 6A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
图12第8页
分钟。
典型值。
10
35
20
13
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
4/14
STD12NF06L
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 12A ，V
GS
= 0
I
SD
= 12A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 16V ，T
J
= 150°C
图14第8页
50
65
2.5
测试条件
民
典型值。
最大
12
48
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/14
N沟道60V - 0.08
- 12A IPAK / DPAK
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STD12NF06L
s
s
s
s
s
STD12NF06L
V
DSS
60 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.1
I
D
12 A
s
典型
DS
（上） = 0.08
DV dt能力EXCEPTIONAL /
低栅电荷
低阈值DRIVE
通孔IPAK （ TO- 251 ）电源
包装管内（后缀“ -1” ）
表面安装DPAK （ TO- 252 ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀“ T4 ” ）
3
2
1
3
1
DPAK
TO-252
（后缀“ T4 ” ）
IPAK
TO-251
（后缀“-1” ）
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特的“单一特征尺寸 ”带钢
基于过程。由此产生的晶体管显示了极高
高的堆积密度低的导通电阻，坚固
雪崩特性和不太重要的调整
步骤
因此
a
卓越
制造业
重现。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制，音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
汽车环境
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
60
60
±
16
12
8.5
48
30
0.2
15
100
-55至175
(1) I
SD
≤12A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
= 40V ，T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
AR
= 6A ，V
DD
= 30V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度限制了安全工作区主编。
2002年6月
.
1/10
QQ：2881677436 复制
