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STD12NE06L
N - CHANNEL 60V - 0.09Ω - 12A TO- 251 / TO- 252
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STD12NE06L
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
R
DS ( ON)
< 0.12
I
D
12 A
s
典型
DS ( ON)
= 0.09
DV dt能力EXCEPTIONAL /
雪崩坚固的技术
100%的雪崩测试
面向应用
表征
加后缀“ T4 ”如需订购在磁带
& REEL
IPAK
TO-251
(后缀“-1” )
3
2
1
1
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的跃迁
STOR显示了极高的堆积密度低
导通电阻,崎岖雪崩特征
并不太重要,因此调整步骤一重
可标记制造重复性。
应用
s
直流电机控制(磁盘驱动器等)。
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
同步整流
DPAK
TO-252
(后缀“ T4 ” )
内部原理图
绝对最大额定值
SYMB OL
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
的dv / dt (
1
)
T
ST克
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额F演员
峰值二极管恢复电压斜率
存储牛逼emperature
马克斯。工作结温
价值
60
60
±
20
12
8
48
35
0.23
6
-65 175
175
(
1
) I
SD
12 A, di / dt的
200 A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
j
T
JMAX
单位
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
o
o
C
C
1/9
( )脉冲宽度有限的安全工作区
2000年1月
STD12NE06L
热数据
R
THJ -case
R
THJ -amb
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
热阻案例散热器
最大的铅温度F或焊接用途
最大
最大
牛逼YP
4.3
100
1.5
275
o
o
C / W
C / W
o
C / W
o
C
雪崩特性
Symbo升
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
最大值
12
45
单位
A
mJ
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
Symbo升
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
60
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流(V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 100 C
o
开( *)
Symbo升
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D( 0:N )
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
I
D
= 6 A
I
D
= 6 A
12
分钟。
1
典型值。
1.7
0.09
0.07
马克斯。
2.5
0.12
0.10
单位
V
A
V
DS
& GT ;我
D( 0:N )
个R
DS ( ON)马X
V
GS
= 10 V
动态
Symbo升
g
F小号
()
C
国际空间站
C
OS s
C
RSS
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试刀豆ditions
V
DS
& GT ;我
D( 0:N )
个R
DS ( ON)马X
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=6 A
V
GS
= 0
分钟。
4
典型值。
7
700
100
30
1000
140
45
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STD12NE06L
电气特性
(续)
接通
Symbo升
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总摹吃费
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试刀豆ditions
V
DD
= 30 V
I
D
= 8 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 5 V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 48 V
I
D
= 16 A
V
GS
= 5 V
分钟。
典型值。
17
38
12
6
6
马克斯。
25
50
16
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升牛逼IME
秋季牛逼IME
交叉时间
测试刀豆ditions
V
DD
= 48 V
I
D
= 16 A
V
GS
= 5 V
R
G
= 4.7
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
9
18
30
马克斯。
12
25
45
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
()
V
SD
(
)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 12 A
V
GS
= 0
70
0.13
4
I
SD
= 16 A
的di / dt = 100 A /
s
o
T
j
= 150 C
V
DD
= 25 V
(见测试电路,图5 )
测试刀豆ditions
分钟。
典型值。
马克斯。
12
48
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
(
)脉冲:脉冲宽度= 300
S,占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
对于安全工作区
热阻抗
3/9
STD12NE06L
输出特性
传输特性
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/9
STD12NE06L
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/9
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STD12NE06LT4
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    -
    -
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
STD12NE06LT4
ST/意法
2024
20918
TO-252
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
STD12NE06LT4
STM
21+
18000
TO-252
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ST
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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ST
23+
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SOT-252
只做进口原装,假一赔十;欢迎致电:杨先生15001712988
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联系人:肖先生
地址:福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
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STM/00+
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STD12NE06LT4
ST/意法
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联系人:何小姐
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ST
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ST
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