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STD12N05L
STD12N06L
N - 沟道增强型
低阈值功率MOS晶体管
TYPE
STD12N05L
STD12N06L
s
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
50 V
60 V
R
DS ( ON)
& LT ; 0.15
& LT ; 0.15
I
D
12 A
12 A
s
s
典型
DS ( ON)
= 0.115
雪崩坚固的技术
100%的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低栅电荷
逻辑电平兼容的输入
175
o
C的工作温度
面向应用
表征
通孔IPAK ( TO- 251 )电源
包装管内(后缀“ -1” )
表面安装DPAK ( TO- 252 )
电源包装在磁带& REEL
(后缀“ T4 ” )
3
1
IPAK
TO-251
(后缀“-1” )
2
1
DPAK
TO-252
3
(后缀“ T4 ” )
内部原理图
应用
s
大电流,高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
稳压器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电机控制,音频放大器
s
汽车环境(注射,
ABS ,气囊, LAMPDRIVERS ,等等)
绝对最大额定值
符号
参数
STD12N05L
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
T
英镑
T
j
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25 C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
STD12N06L
60
60
±
15
12
8
48
45
0.3
-65 175
175
单位
50
50
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1996年11月
1/10
STD12N05L/STD12N06L
热数据
R
THJ - CAS é
R
thj- AMB
R
吨HC-罪
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
热阻案例散热器
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
典型值
3.33
100
1.5
275
o
o
C / W
C / W
o
C / W
o
C
雪崩特性
符号
I
A R
E
AS
E
AR
I
A R
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= I
AR
, V
D D
= 25 V)
重复性雪崩能量
(脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
雪崩电流,重复或不重复
(T
c
= 100
o
C,脉冲宽度为T的限制
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
最大值
12
30
7
8
单位
A
mJ
mJ
A
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
的s
= 0
STD12N05L
STD12N06L
T
c
= 125 C
o
分钟。
50
60
典型值。
马克斯。
单位
V
V
I
DS S
I
摹SS
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值×0.8
门体漏
电流(V
S
= 0)
V
GS
=
±
15 V
1
10
±
100
A
A
nA
开( *)
符号
V
的s (次)
R
DS ( ON)
I
D(上)
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 5 V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 6 A
12
分钟。
1
典型值。
1.6
0.115
马克斯。
2.5
0.15
单位
V
A
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
S(上)最大
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
S(上)最大
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 6 A
V
的s
= 0
分钟。
4
典型值。
8
350
150
50
500
200
80
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/10
STD12N05L/STD12N06L
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
DD
= 25 V I
D
= 6 A
V
GS
= 5 V
R
G
= 50
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 40 V I
D
= 12 A
V
GS
= 5 V
R
G
= 50
(见测试电路,图5 )
V
DD
= 40 V
I
D
= 12 A
V
GS
= 5 V
分钟。
典型值。
55
180
120
马克斯。
80
260
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
12
6
5
18
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( VOF F)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 40 V I
D
= 12 A
R
G
= 50
V
GS
= 5 V
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
40
60
110
马克斯。
60
90
160
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
S.D。
I
SDM
()
V
S.D。
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 12 A
V
的s
= 0
75
0.15
4
I
SD
= 12 A
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 25 V
T
j
= 150
o
C
(见测试电路,图5 )
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
12
48
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/10
STD12N05L/STD12N06L
降额曲线
输出特性
传输特性
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
4/10
STD12N05L/STD12N06L
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
导通电流斜率
关断漏源电压斜率
交叉时间
5/10
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STD12N06LT4
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    -
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
STD12N06LT4
ST/意法
2024
30475
TO-252
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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ST/意法
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原装现货上海库存,欢迎咨询
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
STD12N06LT4
ST
22+
32570
SOT252
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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