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半导体
STD123SF
NPN硅晶体管
特点
低饱和度中等电流应用
极低的集电极饱和电压
适用于低电压大电流驱动器
高直流电流增益和大电流能力
低导通电阻，R
ON
= 0.6Ω （最大） （我
B
=1mA)
订购信息
型号
STD123SF
记号
123
封装代码
SOT-23F
外形尺寸
2.4±0.1
1.6±0.1
单位：
mm
1
2.9±0.1
1.90 BSC
3
0.4±0.05
2
0.15±0.05
引脚连接
1.基地
2.辐射源
3.收集
KST-2095-001
0.9±0.1
0~0.1
1
STD123SF
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
* ：包安装在99.5 ％氧化铝10 ×8× 0.1毫米
(Ta=25°C)
°
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
评级
20
15
6.5
1
350
150
-55~150
单位
V
V
V
A
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
晶体管频率
集电极输出电容
抗性
(Ta=25°C)
°
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
R
ON
测试条件
I
C
= 50μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 50μA ，我
C
=0
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
CE
= 5V ，我
C
=50mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
F = 1KHz的，我
B
= 1mA时， V
IN
=0.3V
分钟。典型值。马克斯。
20
15
6.5
-
-
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
260
5
0.6
-
-
-
0.1
0.1
-
0.3
-
-
-
单位
V
V
V
A
A
-
V
兆赫
pF
KST-2095-001
2
STD123SF
电气特性曲线
图。 1 P
C
- T
a
图。 2 V
CE （SAT） -
I
C
图。 2 C
转播
V
CB
图。 4小时
FE-
I
C
图。 5 R
导通
I
B
KST-2095-001
3
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STD123SF
    -
    -
    -
    -
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深圳市集创讯科技有限公司
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SOT23
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