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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1078页 > STD100NH02LT4
N沟道20V - 0.0038
- 60A DPAK / IPAK
的STripFET III功率MOSFET
TYPE
STD100NH02L
s
s
s
s
s
s
STD100NH02L
V
DSS
20 V
R
DS ( ON)
< 0.0048
I
D
60 A(#)
s
典型
DS
(上) = 0.0038
@ 10 V
R
DS ( ON)
*的Qg行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
通孔IPAK ( TO- 251 )电源
包装管内(后缀“ -1” )
表面安装DPAK ( TO- 252 )
电源包装在磁带& REEL
(后缀“ T4 ” )
3
2
1
3
1
DPAK
TO-252
(后缀“ T4 ” )
IPAK
TO-251
(后缀“-1” )
描述
该STD100NH02L采用了最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。这是
合适的光纤收发器的最苛刻的DC-DC转换器
应用程序,其中高效率来实现。
内部原理图
应用
s
专门设计和优化
高效率DC / DC CONVERTES
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(#)
I
D
(#)
I
DM
()
P
合计
E
的AS (1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
20
20
±
20
60
60
240
100
0.67
800
-55至175
( 1 )起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= 30A ,V
DD
= 10V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
mJ
°C
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
限于通过引线接合(# )值
2002年12月
1/10
STD100NH02L
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
1.5
100
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
= 25
°C
除非另有规定编)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250
A,
V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
=
±
20V
分钟。
20
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
ON
(*)
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
I
D
= 250
A
I
D
= 30 A
分钟。
1
0.0038
0.0048
典型值。
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
飞秒(*)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 10 V
I
D
= 30 A
分钟。
典型值。
50
3940
1020
110
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 15V F = 1MHz的V
GS
= 0
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
1.1
2/10
STD100NH02L
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 10 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
(阻性负载,图3 )
V
DD
= 10 V I
D
= 60 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
15
200
62
12
8
84
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 10 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7,
(阻性负载,图3 )
分钟。
典型值。
60
35
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM (
)
V
SD (*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
1.5 %.
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
单位
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
= 60 A
V
GS
= 0
47
58
2.5
1.3
I
SD
= 60 A
的di / dt = 100A / μs的
T
j
= 150°C
V
DD
= 15 V
(见测试电路,图5 )
(*)
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比
(
)脉冲
宽度限制了安全工作区主编。
安全工作区
热阻抗
3/10
STD100NH02L
输出特性
传输特性
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/10
STD100NH02L
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压与温度
.
.
5/10
STD100NH02L
STD100NH02L-1
N沟道24V - 0.0042Ω - 60A - DPAK - IPAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD100NH02L
STD100NH02L-1
1.
V
DSSS
24V
24V
R
DS ( ON)
<0.0048
<0.0048
I
D
60A
(1)
60A
(1)
1
3
2
1
3
限于通过引线接合值
R
DS ( ON)
*的Qg行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
DPAK
IPAK
描述
该设备采用最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
这是适合FOT最苛刻的DC- DC
转换器应用中的高效率,是
来实现。
内部原理图
应用
开关应用
订购代码
产品型号
STD100NH02LT4
STD100NH02L-1
记号
D100NH02L
D100NH02L
DPAK
IPAK
包装
磁带&卷轴
2006年12月
转11
1/16
www.st.com
16
目录
STD100NH02L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
2/16
STD100NH02L
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
参数
价值
30
24
24
± 20
60
60
240
100
0.67
800
-55至175
马克斯。工作结温
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
mJ
°C
V
尖峰(1)
漏源电压额定值
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D (2)
I
D (2)
I
DM (3)
P
合计
E
的AS (4)
T
英镑
T
J
2.
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20K)
漏源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
=100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
1. Garanted当外部RG = 4.7
和T
f
& LT ;吨
FMAX
.
值限于通过引线接合。
3.脉冲宽度有限的安全工作区
4.起始物为
J
= 25
o
C,我
D
= 30A ,V
DD
= 15V
表2中。
符号
R
thJC
R
thJA
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
价值
1.5
100
275
单位
° C / W
° C / W
°C
3/16
电气特性
STD100NH02L
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 25毫安,V
GS
= 0
V
DS
= 20
V
DS
= 20, T
C
= 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 30A
V
GS
= 5V ,我
D
= 15A
1
1.8
0.0042 0.0048
0.005 0.009
分钟。
24
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss(2)
Q
gls(3)
R
G
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输出充电
第三象限的栅极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 10 V
,
I
D
= 30A
V
DS
= 15V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
50
3940
1020
110
62
12
8
24
56.5
1.1
84
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
V
DD
= 10V ,我
D
= 30A
V
GS
= 10V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
< 0V ,V
GS
= 10V
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
1.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
2. Q
OSS =
C
OSS
* V
中,
C
OSS =
C
GD +
C
DS 。
SEE
第三章附录A
3.栅极电荷为同步操作
4/16
STD100NH02L
电气特性
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 10V ,我
D
= 30A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
图13第8页
分钟。
典型值。
15
200
60
35
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
47
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30A ,V
GS
= 0
I
SD
= 60A,
的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 15V ,T
J
= 150°C
图15第8页
47
58
2.5
测试条件
典型值。
最大
60
240
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
5/16
N沟道24V - 0.0042
- 60A DPAK / IPAK
的STripFET III功率MOSFET
TYPE
STD100NH02L
s
s
s
s
s
s
s
STD100NH02L
V
DSS
24 V
R
DS ( ON)
< 0.0048
I
D
60 A
(2)
s
典型
DS
(上) = 0.0042
@ 10 V
典型
DS
(上) = 0.005
@ 5 V
R
DS ( ON)
*的Qg行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
通孔IPAK ( TO- 251 )电源
包装管内(后缀“ -1" )
表面安装DPAK ( TO- 252 )
电源包装在磁带& REEL
(后缀“ T4" )
3
2
1
IPAK
TO-251
(后缀“-1” )
DPAK
TO-252
(后缀“ T4 ” )
3
1
描述
该STD100NH02L采用了最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。这是
合适的光纤收发器的最苛刻的DC-DC转换器
应用程序,其中高效率来实现。
内部原理图
应用
s
专门设计和优化
高效率DC / DC CONVERTES
绝对最大额定值
符号
V
spike(1)
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D(2)
I
D(2)
I
DM(3)
P
合计
E
的AS (4)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压额定值
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
30
24
24
± 20
60
60
240
100
0.67
800
-55至175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
mJ
°C
2003年9月
1/12
STD100NH02L
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
1.5
100
275
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有说明)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 25 mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 20 V
V
DS
= 20 V
V
GS
= ± 20V
分钟。
24
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
T
C
= 125°C
ON
(5)
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 250 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
分钟。
1
典型值。
1.8
0.0042
0.005
0.0048
0.009
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
飞秒(5)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 10 V
I
D
= 30 A
分钟。
典型值。
50
3940
1020
110
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 15V F = 1MHz的V
GS
= 0
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
1.1
2/12
STD100NH02L
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS ( 6 )
Q
GLS ( 7 )
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输出充电
第三象限的栅极电荷
测试条件
I
D
= 30 A
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(阻性负载,图3 )
V
DD
= 10 V I
D
= 60 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
15
200
62
12
8
24
56.5
84
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 16 V
V
DS
& LT ; 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 30 A
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
(阻性负载,图3 )
分钟。
典型值。
60
35
马克斯。
47
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
V
SD (5)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
47
58
2.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 60 A
V
DD
= 15 V
T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
.
(1)
Garanted当外部RG = 4.7
和T
f
& LT ;吨
FMAX
.
(
2
)限定通过引线接合价值
(3)
脉冲宽度有限的安全工作区。
(
4
)起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= 30A ,V
DD
= 15V .
(5)
脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
(6)
Q
OSS =
C
OSS
* V
中,
C
OSS =
C
GD +
C
DS 。
见附录A
(7)
栅极电荷为同步操作
安全工作区
热阻抗
3/12
STD100NH02L
输出特性
传输特性
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/12
STD100NH02L
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压与温度
.
.
5/12
N沟道24V - 0.0042
- 60A DPAK / IPAK
的STripFET III功率MOSFET
TYPE
STD100NH02L
s
s
s
s
s
s
s
STD100NH02L
V
DSS
24 V
R
DS ( ON)
< 0.0048
I
D
60 A
(2)
s
典型
DS
(上) = 0.0042
@ 10 V
典型
DS
(上) = 0.005
@ 5 V
R
DS ( ON)
*的Qg行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
通孔IPAK ( TO- 251 )电源
包装管内(后缀“ -1" )
表面安装DPAK ( TO- 252 )
电源包装在磁带& REEL
(后缀“ T4" )
3
2
1
IPAK
TO-251
(后缀“-1” )
DPAK
TO-252
(后缀“ T4 ” )
3
1
描述
该STD100NH02L采用了最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。这是
合适的光纤收发器的最苛刻的DC-DC转换器
应用程序,其中高效率来实现。
内部原理图
应用
s
专门设计和优化
高效率DC / DC CONVERTES
绝对最大额定值
符号
V
spike(1)
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D(2)
I
D(2)
I
DM(3)
P
合计
E
的AS (4)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压额定值
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
30
24
24
± 20
60
60
240
100
0.67
800
-55至175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
mJ
°C
2003年9月
1/12
STD100NH02L
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
1.5
100
275
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有说明)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 25 mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 20 V
V
DS
= 20 V
V
GS
= ± 20V
分钟。
24
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
T
C
= 125°C
ON
(5)
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 250 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
分钟。
1
典型值。
1.8
0.0042
0.005
0.0048
0.009
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
飞秒(5)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 10 V
I
D
= 30 A
分钟。
典型值。
50
3940
1020
110
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 15V F = 1MHz的V
GS
= 0
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
1.1
2/12
STD100NH02L
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS ( 6 )
Q
GLS ( 7 )
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输出充电
第三象限的栅极电荷
测试条件
I
D
= 30 A
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(阻性负载,图3 )
V
DD
= 10 V I
D
= 60 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
15
200
62
12
8
24
56.5
84
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 16 V
V
DS
& LT ; 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 30 A
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
(阻性负载,图3 )
分钟。
典型值。
60
35
马克斯。
47
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
V
SD (5)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
47
58
2.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 60 A
V
DD
= 15 V
T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
.
(1)
Garanted当外部RG = 4.7
和T
f
& LT ;吨
FMAX
.
(
2
)限定通过引线接合价值
(3)
脉冲宽度有限的安全工作区。
(
4
)起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= 30A ,V
DD
= 15V .
(5)
脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
(6)
Q
OSS =
C
OSS
* V
中,
C
OSS =
C
GD +
C
DS 。
见附录A
(7)
栅极电荷为同步操作
安全工作区
热阻抗
3/12
STD100NH02L
输出特性
传输特性
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/12
STD100NH02L
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压与温度
.
.
5/12
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