半导体
STC918SF
NPN硅晶体管
特点
高电流转换频率
f
T
= 9.0千兆赫（典型值） @V
CE
= 6V ，我
C
=15mA
低噪声系数
NF
民
= 1.4分贝（典型值） @ 1.0 GHz的，V
CE
= 8V ，我
C
=3mA
最大稳定增益（ MSG） = 19分贝@ 1.0 GHz的，V
CE
= 6V ，我
C
=10mA
输出三阶截取输出（ IP
3
） =为29dBm @ 1.0 GHz的，V
CE
= 6V ，我
C
=10mA
订购信息
型号
STC918SF
记号
RF2
封装代码
SOT-23F
外形尺寸
单位：
mm
2.4±0.1
1.6±0.1
1
2.9±0.1
1.90 BSC
3
0.4±0.05
2
0.15±0.05
引脚连接
1.基地
2.辐射源
3.收集
KST-2107-000
0.9±0.1
0~0.1
1
STC918SF
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
存储温度范围
Ta=25°C
°
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
20
10
1.5
50
200
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
T
C
=25°C
°
符号
BV
CBO
*1
BV
首席执行官
*1
I
CBO
*1
I
EBO
*1
h
FE
*1
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 100uA的，我
B
=0
V
CB
= 10V ，我
E
=0
V
EB
= 1V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=5mA
V
CE
= 6V ，我
E
=15mA
V
CB
= 1V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 5V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
20
10
-
-
50
-
-
-
-
-
-
-
-
9
0.4
0.3
-
-
0.1
0.1
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
-
GHz的
pF
性能特点
特征
插入增益
最大单向增益
最大可用增益
最大稳定增益
噪声系数（最低）
抗噪声能力
最低NF相关的增益
在1.0分贝增益输出功率
压缩
输出3'rd拦截
T
C
=25°C
°
符号
│S
21
│
2
Gu
最大
*2
MAG
*3
味精
*4
NF
民
R
N
G
NF
P
1dB
OIP
3
*5
测试条件
V
CE
=1V,
V
CE
=6V,
V
CE
=1V,
V
CE
=6V,
V
CE
=6V,
V
CE
=1V,
V
CE
=1V,
V
CE
=6V,
V
CE
=1V,
V
CE
=6V,
V
CE
=1V,
V
CE
=6V,
I
C
= 1mA时， F = 1GHz的
I
C
= 15毫安中，f = 1GHz的
I
C
= 1mA时， F = 1GHz的
I
C
= 15毫安中，f = 1GHz的
I
C
= 15毫安中，f = 1GHz的
I
C
= 1mA时， F = 1GHz的
I
C
= 1mA时， F = 1GHz的
I
C
= 5毫安中，f = 1GHz的
I
C
= 1mA时， F = 1GHz的
I
C
= 5毫安中，f = 1GHz的
I
C
= 1mA时， F = 1GHz的
I
C
= 5毫安中，f = 1GHz的
分钟。典型值。马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
15
13
17
18
12
1.6
1.4
24
19
10
15
13
28
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
dB
dB
dB
dB
dB
V
CE
= 6V ，我
C
= 15毫安中，f = 1GHz的
V
CE
= 6V ，我
C
= 15毫安中，f = 1GHz的
│S
21
│
2
-
-
-
-
DBM
DBM
* 1 ：脉冲宽度≤ 300US ，占空比≤ 2％的脉冲。
* 2 ：最大unilaterial增益（顾
最大
)=
(1-│S
11
│
2
)(1-│S
22
│
2
)
│S
21
│
* 3：最大后才有效增益（MAG） =
(K±√(K
2
-1)
│S
12
│
│S
21
│
│S
12
│
如果K>1
* 4 ：最大稳定增益（MSG） =
如果K<1
* 5：寻= 50Ω和匹配，以获得最佳的IP
3
KST-2107-000
2
QQ：2881677436 复制
