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半导体
STC8050SF
NPN硅晶体管
说明
高电流的应用
收音机B类推挽操作
特征
互补配对STA8550SF
订购信息
型号
STC8050SF
记号
8A□
:h
FE
封装代码
SOT-23F
外形尺寸
2.30~2.50
1.50~1.70
单位:
mm
1
2.80~3.00
1.90典型。
3
2
0.45 MAX 。
0.20最大。
0.10最大。
0.80~1.00
引脚连接
1.基地
2.辐射源
3.收集
KSD-T5C004-000
1
STC8050SF
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
* :包安装在99.5 %氧化铝10 ×8× 0.6毫米
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C*
T
J
T
英镑
等级
30
25
6
800
-800
350
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25°C)
符号
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE *
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= 1mA时,我
B
=0
V
CB
= 30V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=50mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
V
CE
= 1V ,我
C
=500mA
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CB
= 10V ,我
E
=0
分钟。典型值。马克斯。
25
-
-
85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.85
180
19
-
50
50
300
0.5
1.2
-
-
单位
V
nA
nA
-
V
V
兆赫
pF
* : h
FE
排名/
B: 85 160 ,C : 120 200 , D: 160 300
KSD-T5C004-000
2
STC8050SF
电气特性曲线
图。 1件 - TA
图。 2我
C
- V
BE
图。 3我
C
- V
CE
图。 4 V
CE ( SAT )
- I
C
图。 5小时
FE
- I
C
图。 6小时
FE
- I
C
KSD-T5C004-000
3
STC8050SF
该AUK公司产品用于使用在一般的电子元件
设备(办公室和通信设备,测量设备,家用
设备等)。
请确保您与我们协商,然后再使用这些AUK公司产品前
在需要较高的质量和/或可靠性,设备和在设备,而
可能主要影响到人类生活的福利(原子能控制,飞机,
飞船,运输,燃烧控制,所有类型的安全装置,等等)。 AUK
公司不承担责任,以可能发生的情况下,这些AUK公司的任何损害
产品使用在上述设备不与AUK事先协商
公司..
本出版物中提到的规格如有变更,恕不另行通知。
KSD-T5C004-000
4
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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