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STC6332
STC6332
N&P对增强模式MOSFET
0.95A / -1A
描述
该STC6332是N & P沟道增强型功率场效应晶体管
采用高密度DMOS沟道技术。这种高密度的工艺
特别是针对减少通态电阻，提供出色的开关
性能。这种装置特别适用于低电压应用，如
笔记本电脑的电源管理和其它电池供电的电路，其中
高侧开关，低线的功率损耗和抗瞬变是必要的。
引脚配置
SOT-363/SC-70-6L
SOT-363/SC-70-6L
特征
N沟道
½
20V / 0.95A ，R
DS （ ON）
= 380mΩ （典型值）。
@V
GS
= 4.5V
½
20V / 0.75A ，R
DS （ ON）
= 450mΩ
@V
GS
= 2.5V
½
20V / 0.65A ，R
DS （ ON）
= 800mΩ
@V
GS
= 1.8V
P沟道
½
-20V / -1.0A ，R
DS （ ON）
= 520mΩ （典型值）。
@V
GS
= -4.5V
½
-20V / -0.8A ，R
DS （ ON）
= 700mΩ
@V
GS
= - 2.5V
½
-20V / -0.7A ，R
DS （ ON）
= 700mΩ
@V
GS
= - 1.8V
½
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
½
呈导通电阻和最大
DC电流能力
½
SOT- 363 （ SC - 70-6L ）封装设计
最热
STANSON科技
120宾利广场，加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
2007 ， Stanson公司
STC6332 2009 V1
STC6332
STC6332
N&P对增强模式MOSFET
0.95A / -1A
ABSOULTE最大额定值
（ TA = 25 ℃除非另有说明）
典型
N
P
20
±12
1.2
0.9
4
0.6
0.3
0.19
-55/150
-55/150
360
400
360
400
-20
±12
-1.0
-0.7
-3
-0.6
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(TJ=150℃)
漏电流脉冲
连续源电流
（二极管传导）
功耗
工作结温
Storgae温度范围
热阻，结
到环境
T≦10Sec
Sready国家
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
=25℃
T
A
=80℃
I
D
I
DM
I
S
T
A
=25℃
T
A
=70℃
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
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STC6332 2009 V1
STC6332
STC6332
N&P对增强模式MOSFET
0.95A / -1A
电气特性
（ TA = 25 ° ，除非另有说明）
参数
STATIC
符号
条件
民
典型值
最大单位
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
DS
= VGS ，我
D
=250uA
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= VGS ，我
D
=-250uA
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
栅极漏电流
I
GSS
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
I
DSS
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
零栅压漏
T
J
=55℃
当前
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
V
DS
≧
4.5V,V
GS
=5V
通态漏电流
I
D（上）
V
DS
≦-4.5V,V
GS
=-5V
V
GS
=
4.5V ，我
D
=0.95A
V
GS
=-4.5V,I
D
=-1.0A
V
GS
=
2.5V ，我
D
=0.75A
漏源导通电阻R
DS （ ON）
V
GS
=-2.5V,I
D
=-0.8 A
V
GS
=
1.8V ，我
D
=0.65A
V
GS
=-1.8V,I
D
=-0.5 A
V
DS
=10V,I
D
=1.2A
转发TRAN导
g
fs
V
DS
=-10V,I
D
=-1.0A
I
S
=0.5A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
V
SD
I
S
=-0.5A,V
GS
=0V
V
（ BR ） DSS
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
tr
漏源击穿
电压
N
20
P
-20
N 0.35
P -0.35
N
P
N
P
N
P
N
2
P
-2
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
V
1.0
-1.0
100
-100
1
-1
5
-5
0
0.26
V
nA
uA
A
0.42
0.32
0.58
0.42
0.75
0.38
0.52
0.45
0.70
0.80
0.95
Ω
2.6
1.5
0.8
-0.8
1.2
1.1
0.2
0.3
0.3
0.2
15
18
20
25
25
20
12
12
S
1.2
-1.2
2.0
1.8
nC
V
开启时间
打开-O FF时间
t
D（关闭）
tf
N沟道
N
V
DS
=10V,V
GS
= 4.5V P
I
D
≡1.2A
N
P
P沟道
V
DS
=-10V,V
GS
= -4.5V
I
D
≡-1.0A
P
N
N沟道
P
V
DS
=10V,R
L
=20Ω
N
I
D
=0.5A,R
根
=6Ω
P
V
根
=4.5V
N
P沟道
P
V
DS
=-10V,R
L
=20Ω
I
D
=-0.5A,R
根
=-6Ω N
P
V
根
=-4.5V
25
30
30
40
40
30
20
20
nS
STANSON科技
120宾利广场，加州山景城94040 USA
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STC6332 2009 V1
STC6332
STC6332
N&P对增强模式MOSFET
0.95A / -1A
典型CHARACTERICTICS （N MOS ）
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N&P对增强模式MOSFET
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典型CHARACTERICTICS （N MOS ）
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STC6332 2009 V1
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